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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F512G08EBLEEJ4-R : E TR	10.7250	RFQ	1826	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-VBGA		플래시 -Nand (TLC)	2.6V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-R : ETR			2,000		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT53E256M16D1FW-046 WT : b	7.7349	RFQ	7625	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드				557-MT53E256M16D1FW-046WT : b			1	2.133 GHz	휘발성 휘발성	4gbit	3.5 ns	음주	256m x 16	평행한	18ns
MT47H128M8SH-25E AAT : M.	-	RFQ	6566	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,518	400MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	128m x 8	평행한	15ns
N25Q256A13ESF40G	-	RFQ	1954	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q256A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-1575-5	3A991B1A	8542.32.0071	1,225	108 MHz	비 비	256mbit		플래시	64m x 4	SPI	8ms, 5ms
M29W160ET70ZA6F TR	-	RFQ	5676	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W160	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	16mbit	70 ns	플래시	2m x 8, 1m x 16	평행한	70ns
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y	-	RFQ	2589	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT29VZZZ7				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,520
M25P80-VMC6G	-	RFQ	1124	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	490	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT28FW512ABA1HJS-0AAT	-	RFQ	2038	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28FW512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 3.6V	56-tsop	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	512mbit	105 ns	플래시	32m x 16	평행한	60ns
MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR	-	RFQ	7143	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		mtfc4glwdm-4maatztr	쓸모없는		1,000
MT48H16M16LFBF-75 IT : G TR	-	RFQ	5511	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT29F4G08ABAFAWP-IATES : f	-	RFQ	5951	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT46V32MMCY-5B XIT : J TR	-	RFQ	4932	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (8x12.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		mt46v32mcy-5bxit : jtr	귀 99	8542.32.0028	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT47H64M16HR-3 L : H TR	-	RFQ	9120	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT46H16M16LFBF-6 AT : h	-	RFQ	2860	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H16M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5 ns	음주	16m x 16	평행한	12ns
MT25QU256ABA8E12-0AAT TR	5.4450	RFQ	2250	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT49H16M36FM-18 : B TR	-	RFQ	6886	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT58L128L32P1T-7.5ctr	4.7500	RFQ	3	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	휘발성 휘발성	4mbit	4 ns	SRAM	128k x 32	평행한	-
MT53B512M64D4TX-053 WT : C.	-	RFQ	8720	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
M29F800DB70M1	-	RFQ	7464	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.525 ", 13.34mm 너비)	M29F800	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	16		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
MT48H8M32LFB5-75 : H TR	-	RFQ	1257	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H8M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT62F768M64D4ZU-026 WT : B TR	27.9300	RFQ	7367	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-	MT62F768	sdram- 모바일 lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4ZU-026WT : BTR			2,500	3.2GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	평행한	-
MT53D512M32D2DS-053 AAT : D TR	19.1100	RFQ	9882	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
mt28ew512aba1ljs-0aat	-	RFQ	2187	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28ew512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	512mbit	105 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	60ns
MT52L256M64D2LZ-107 XT : B TR	-	RFQ	6800	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	MT52L256	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT53E256M32D2DS-053 WT : b	-	RFQ	9091	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53E256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT53E256M3DS-053WT : b	귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
MT48H8M16LFB4-6 IT : K TR	-	RFQ	8553	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
M29F400BB45N1	-	RFQ	7184	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F400	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	45 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	45ns
MT53B2DANL-DC	-	RFQ	6571	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는		-	-		sdram- 모바일 lpddr4		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	960		휘발성 휘발성			음주
MT29F8T08EULCHD5-M : C TR	167.8050	RFQ	8851	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F8T08EULCHD5-M : CTR			2,000
MT62F2G64D8EK-023 AAT : B TR	126.4350	RFQ	9278	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	441-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F2G64D8EK-023AAT : BTR			2,000	4.266 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	2G X 64	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²