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MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT : d -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT47H512M8WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E : c -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (9x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,320 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 400 PS 음주 512m x 8 평행한 15ns
M58BW16FB5T3T TR Micron Technology Inc. M58BW16FB5T3T TR -
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW16 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-PQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 16mbit 55 ns 플래시 512k x 32 평행한 55ns
MT46V128M4P-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : F TR -
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
M45PE10-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE10-VMN6TP TR -
RFQ
ECAD 5594 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M45PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 3ms
MT53B2DADS-DC Micron Technology Inc. MT53B2DADS-DC -
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ECAD 6461 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 휘발성 휘발성 음주
MT46V256M4P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V256M4P-6T : a -
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ECAD 8160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
M45PE80-VMP6 Micron Technology Inc. M45PE80-VMP6 -
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ECAD 2183 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
MTFC8GACAENS-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-5M AIT -
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ECAD 2091 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
M25P16-VME6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VME6TG TR -
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ECAD 1603 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
M25P128-VMF6P Micron Technology Inc. M25P128-VMF6P -
RFQ
ECAD 6090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 50MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 15ms, 7ms
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AAT : K TR 5.3633
RFQ
ECAD 6894 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K128M16JT-125AAT : KTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8WF-062 WT : d -
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ECAD 1761 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6 : A TR -
RFQ
ECAD 2111 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT : D TR -
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
N25Q512A83G1241E Micron Technology Inc. N25Q512A83G1241E -
RFQ
ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT40A2G4SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075 : E TR 10.1850
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ECAD 1375 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
N25Q128A13EW7DFF Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFF -
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ECAD 9637 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M25PX80-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN3TPB TR -
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
M36L0R7050L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050L3ZSF TR -
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-WFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) 다운로드 557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR 쓸모없는 2,000 비 비, 휘발성 4gbit 25 ns 플래시, 램 512m x 8 onfi 30ns
MT53D768M32D2NP-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2NP-046 WT : A TR -
RFQ
ECAD 7868 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 557-MT53D768M32D2NP-046WT : ATR 쓸모없는 2,000
MT41K64M16V88AWC1 Micron Technology Inc. MT41K64M16V88AWC1 -
RFQ
ECAD 9193 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 64m x 16 평행한 -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT : A TR -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 준수 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT : ATR 쓸모없는 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 768m x 64 평행한 18ns
MTFC64GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalgt-ait -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC64 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAPALGT-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MTC10C1084S1TC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1TC48BAZ 171.6000
RFQ
ECAD 3959 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTC10C1084S1TC48BAZ 1
MT47H64M8CF-25E AIT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E AIT : g -
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AIT : D TR 16.5000
RFQ
ECAD 8697 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 - 557-MT53E512M32D2FW-046AIT : DTR 2,000
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 60.2850
RFQ
ECAD 1702 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9 1
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 9.9000
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-WFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 1 비 비, 휘발성 4gbit 25 ns 플래시, 램 512m x 8 onfi 30ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고