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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-75 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6 : A TR -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
N25Q128A13EW7DFF Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFF -
RFQ
 ECAD 9637 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10Z : a -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46H64M16LFBF-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-6 IT : b -
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 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
PF48F4400P0VBQEK TR Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQEK TR -
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 ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA 48F4400p0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
MTFC64GJVDN-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-4M IT TR -
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 ECAD 6858 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
NAND256W3A0BN6E Micron Technology Inc. NAND256W3A0BN6E -
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND256 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,008
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS : e 3.3184
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT48LC8M8A2P-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E L : G. -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1TG-062 XT ES : c -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 960 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT28F640J3FS-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
M25PX80-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
M36L0R7050L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050L3ZSF TR -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
N25Q032A13ESCA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESCA0F TR -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
N25Q064A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEA0F TR -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC32GALAHAM-WT TR Micron Technology Inc. MTFC32GALAHAM-WT TR -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC32G 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT48LC16M16A2B4-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A : g 5.8748
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,560 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
M29W800DT70ZM6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZM6E -
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
M58LT256KSB7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT256KSB7ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT46V32M8TG-75Z:G Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75Z : g -
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 ECAD 3159 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3RES : A TR -
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C TR -
RFQ
 ECAD 3682 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - MT29RZ4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT47H64M16HR-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT : h -
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT46V16M8TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-75 : d -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT58L64L32FT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L32ft-10tr 5.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 66MHz 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
MT48LC64M8A2TG-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 L : C. -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
M25P16S-VMN6P Micron Technology Inc. M25P16S-VMN6P -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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