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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1hpc-0sit tr 20.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 95 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT41K1G8SN-107:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107 : a -
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT47H128M4CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT29F8T08EQLCHL5-QA:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EQLCHL5-QA : C. 167.8050
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA : C. 1
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 WT TR -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W8MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 70ns
N25Q256A11EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A11EF840E -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q256A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48H8M16LFB4-10 Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-10 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M29W800DT45ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6E -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 1,122 비 비 8mbit 45 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 45ns
N25Q064A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
JS28F00AP33BFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33BFA -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AP33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 1gbit 105 ns 플래시 64m x 16 평행한 105ns
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES : F TR -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT46V16M8TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-75 : d -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 16m x 8 평행한 15ns
N25Q064A11ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11ESEA0F TR -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46V128M4FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6 : D TR 32.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT41J128M16JT-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107 : K TR -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR -
RFQ
 ECAD 1812 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZAD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT40A1G8SA-062E IT:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT : J. -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A1G8SA-062EIT : J. 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 TR 20.2200
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 149-VFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112TR 2,000 비 비, 휘발성 8gbit 25 ns 플래시, 램 1g x 8 onfi 30ns
PC28F512M29EWH3 Micron Technology Inc. PC28F512M29ewh3 -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
MT48LC2M32B2B5-7:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7 : g -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 14ns
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 : P TR 5.2703
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K512M8DA-107 : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT46V32M8TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 L : G TR -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT25QL256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW7-0SIT 6.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29TZZZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
PC28F128P30BF65B TR Micron Technology Inc. PC28F128P30BF65B TR -
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 128mbit 65 ns 플래시 8m x 16 평행한 65ns
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 14ns
MT29F128G08AKCABH2-10:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10 : a -
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT28EW128ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew128aba1lpc-0sit 7.7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 128mbit 95 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT44K32M18RB-125F:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125F : a -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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