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![]() | MT47H128M8SH-25E IT : m | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | PC28F512M29EWHB TR | - | ![]() | 8976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | PC28F512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | EDF8164A3PK-GD-FR TR | - | ![]() | 6235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 216-WFBGA | EDF8164 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 128m x 64 | 평행한 | - | |||
![]() | MT45W4MW16BFB-856 WT TR | - | ![]() | 7189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 85 ns | psram | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 AAT ES : b | 163.3950 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AATES : b | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 3G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
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![]() | MT49H32M9FM-33 : b | - | ![]() | 8382 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M9 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 9 | 평행한 | - | ||
![]() | MT29F256G08EECBBJ4-6 : b | - | ![]() | 8782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MTFC16GAKAEJP-5M AIT | - | ![]() | 1063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.9V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
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![]() | MT28F640J3FS-115 XMET TR | - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-FBGA | MT28F640J3 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64mbit | 115 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V32M8TG-75Z : g | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F16G08ABCBBH1-12 : b | - | ![]() | 4823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | M25P40-VMW6TGB TR | - | ![]() | 4631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | M25P40 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8- w | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | PC28F512P30EFB | - | ![]() | 8026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | MT28HL64GRBB6EBL-0GCT | 165.0000 | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT28HL64 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||||
![]() | MT45W2MW16BAFB-856 WT | - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 85 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
MT48V8M16LFF4-8 IT : g | - | ![]() | 3525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48V8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 2.3V ~ 2.7V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B512M32D2NP-062 WT : C. | - | ![]() | 7574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT46H32M32LFCM-6 IT : A TR | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
MT46V32M16CY-5B IT : J. | 6.4328 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | mtfc32gapalbh-ait es | - | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | N25Q064A11E5340F TR | - | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-XFBGA | N25Q064A11 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-XFSCSP (2.93x3.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | EDF840AAABH-GD-FD | - | ![]() | 9954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,600 | |||||||||||||||||
![]() | MTFC16GJVEC-2M WT | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-VFBGA | MTFC16G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 169-VFBGA | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT40A8G4CLU-062H : e | - | ![]() | 4974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A8G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 557-MT40A8G4CLU-062H : e | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 210 | 1.6GHz | 비 비 | 32gbit | 13.75 ns | 음주 | 8g x 4 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT | - | ![]() | 6677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | MT29C1G12M | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,140 | |||||||||||||||||
![]() | MT53B512M32D2NP-053 WT : C TR | - | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - |
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