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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT | - | ![]() | 7123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-VFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,008 | 208 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46V128M4P-5B : f | - | ![]() | 2938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 128m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR | - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1gbit (nand), 1gbit (lpdram) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 32m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46H16M32LFCM-5 : B TR | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT : d | - | ![]() | 2969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | |||
![]() | MT44K16M36RB-125E : A Tr | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 10 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT29F512G08EBLEEJ4-R : e | 10.7250 | ![]() | 5992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 132-VBGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R : e | 1 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||||||||
MT41J64M16JT-187E : g | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT29RZ4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MT45W1MW16PABA-70 WT TR | - | ![]() | 5312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT62F1G64D8EK-031 AIT : B TR | 56.4300 | ![]() | 3438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AIT : BTR | 1,500 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT28F320J3RG-11 MET | - | ![]() | 1183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F320J3 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32mbit | 110 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V64M8P-5B L IT : J TR | - | ![]() | 4975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46V16M16FG-75 : f | - | ![]() | 9739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F2G08ABAFAH4-ITS : f | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT41K512M8RH-125 IT : e | - | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 13.75 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | TE28F128P30T85A | - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 28F128p30 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 56-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40MHz | 비 비 | 128mbit | 85 ns | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | 85ns | ||
![]() | mt28ew256aba1lpc-0sit | 9.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | MT28ew256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-lbga (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 비 비 | 256mbit | 75 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 60ns | |||
![]() | MT47H32M8BP-37V : b | - | ![]() | 1380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT47H32M8B | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 500 PS | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC4M16A2P-7E IT : G TR | - | ![]() | 4415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC4M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT53E1536M32D4DE-046 AAT : b | 47.8950 | ![]() | 6450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT : b | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 3.5 ns | 음주 | 1.5GX 32 | 평행한 | 18ns | |||||||
![]() | NAND08GW3D2AN6E | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | NAND08G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -Nand08gw3d2an6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 8gbit | 25 ns | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | 25ns | ||
![]() | PC28F512G18AE | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 96 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 96ns | |||
![]() | MT52L1G64D8QC-107 WT ES : b | - | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 253-VFBGA | MT52L1G64 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA (12x12) | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,008 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | |||||
![]() | MT48LC64M4A2TG-75 L : D. | - | ![]() | 8409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC64M4A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | M25P80-VMN6PBA | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P80 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
MT29F256G08CJABAWP : B TR | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29F512G08CMCCBH7-6C : c | - | ![]() | 2120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E512M64D2HJ-046 AIT : b | 29.9700 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 556-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AIT : b | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 3.5 ns | 음주 | 512m x 64 | 평행한 | 18ns | |||||||
MT46H128M16LFDD-48 WT : C. | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,782 | 208 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 14.4ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고