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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT40A2G8SA-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A2G8SA-062E IT : f 14.9550
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G8SA-062EIT : f 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
MT46V64M8TG-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT49H16M36BM-25:A Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25 : a -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
M25PE40-VMN6P Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6P -
RFQ
 ECAD 5980 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT45W4MW16PBA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 IT TR -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT29F128G08CFAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAABWP-12 : a -
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37 : b -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F384G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0036 1,120 267 MHz 비 비 384gbit 플래시 48g x 8 평행한 -
M29W400DT55N6 Micron Technology Inc. M29W400DT55N6 -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT ES : C TR 127.0200
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WTES : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT29F2G08ABBFAH4:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4 : f -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107 : a -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W256KW16PEGA-70 WT TR -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W256KW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns psram 256k x 16 평행한 70ns
MT29F128G08CFABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABAWP : B TR -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46H32M32LFB5-48 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-48 IT : b -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 14.4ns
MT48LC4M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6 : G TR -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT46V64M8TG-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T L : F TR -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48LC16M16A2B4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E : G TR -
RFQ
 ECAD 6643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT ES : e -
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 ECAD 4500 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT55L64L36P1T-10 Micron Technology Inc. MT55L64L36P1T-10 5.5100
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 2mbit 5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
MT29F256G08CEECBH6-12:C Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12 : c -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT40A512M8SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E : F TR 8.3250
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 557-MT40A512M8SA-062E : FTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
N25Q064A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEC0E -
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 ECAD 7574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E : F TR 13.5900
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G16TB-062E : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT44K16M36RB-125:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125 : a -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MTFC8GAMALBH-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-aat es tr -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT47H64M8CB-25:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25 : b -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 10.6800
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 1
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT : d -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT29F64G08CBEFBWP:F Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBWP : f -
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 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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