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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-FD -
RFQ
ECAD 9690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,160 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
PC28F512M29EWLE Micron Technology Inc. PC28F512M29ewle -
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G32D2NP-053 RS WT : C. 18.6300
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ECAD 4461 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT : c 1
M29F800DT55N6 Micron Technology Inc. M29F800DT55N6 -
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ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT29F32G08CBACAL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1 -
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ECAD 1287 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 696 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29VZZZAD8GQFSL-046 WJ.9R8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GQFSL-046 WJ.9R8 -
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ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046WJ.9R8 1
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBK8-6 : B TR -
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ECAD 1568 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F512G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT28F640J3FS-115 GMET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 GMET -
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ECAD 7090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
N25Q032A11EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A11EF440E -
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ECAD 3294 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 N25Q032A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,940 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT35XL256ABA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2G12-0AAT TR -
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ECAD 5534 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MT62F1G32D2DS-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AUT : b 36.7350
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ECAD 3329 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AUT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT29F256G08CKCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10Z : a -
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ECAD 1963 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
N25Q064A13ESF42EE01 Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42EE01 -
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ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,400 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F512G08CMCABH7-6R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCABH7-6R : a -
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
RC28F256P30T85B TR Micron Technology Inc. RC28F256P30T85B TR -
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ECAD 7199 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MTFC64GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaotd-ait tr 33.5100
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ECAD 8063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC64GAZAOTD-AITTR 2,000
MT40A4G4VA-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A4G4VA-062E : B TR -
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ECAD 5186 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A4G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A4G4VA-062E : Btr 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 4G X 4 평행한 15ns
JS28F064M29EWBA Micron Technology Inc. JS28F064M29ewba -
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ECAD 3436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT51K256M32HF-70:B Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-70 : b -
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ECAD 9166 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT51K256 sgram -gddr5 1.3V ~ 1.545V - 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.75GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT53D512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-062 WT : d -
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ECAD 5704 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-Z : a -
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ECAD 1360 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT47H128M8CF-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E AIT : h -
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ECAD 7378 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT46V64M4BG-6:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-6 : GTR -
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ECAD 8464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT40A2G8JE-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AAT : e 17.1750
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ECAD 8049 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) 다운로드 557-MT40A2G8JE-062EAAT : e 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 현물 현물 지불 15ns
MTFC32GJVED-IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjved-it tr -
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ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT28F320J3RG-11 GMET Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 GMET -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT48H4M16LFB4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-10 IT -
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ECAD 5035 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT62F512M64D4EK-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 WT : B TR 23.3100
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031WT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L Micron Technology Inc. MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L 119.5650
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 254-BGA 플래시 -nand, dram -lpddr4x - 254-TFBGA - 557-MT29VZZZCDAFQKWL-046W.G0L 1 2.133 GHz 비 비, 휘발성 2TBIT (NAND), 64GBIT (LPDDR4X) 플래시, 램 256G X 8 (NAND), 2G X 32 (LPDDR4X) UFS2.1 -
MT29F128G08CBCABL85A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1 -
RFQ
ECAD 6009 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고