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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F128G08AUCBBH3-12 : B TR	-	RFQ	8041	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT49H32M18CFM-18 : b	-	RFQ	5500	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
PC28F256M29EWHB TR	-	RFQ	9339	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	256mbit	100 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	100ns
MT41J256M8HX-15E AIT : d	-	RFQ	8938	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J256M8	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.5 ns	음주	256m x 8	평행한	-
MT53E768M64D4SQ-046 AAT : a	-	RFQ	7367	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53E768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT53E768M64D4SQ-046AAT : a	쓸모없는	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MT53B128M32D1DS-062 AUT : A TR	-	RFQ	9486	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B128	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	-	-
MT25TL512BAA1ESF-0AAT	-	RFQ	9864	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25TL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
ECF440AACCN-P4-Y3	-	RFQ	8222	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				ECF440				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1
mtfc8gamalbh-aat	11.1750	RFQ	5264	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	-	153-TFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT57W2MH8CF-6	28.3700	RFQ	5	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA	MT57W2MH	sram- 동기	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	2m x 8	평행한	-
JS28F064M29EWLB TR	-	RFQ	8700	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F064M29	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT48LC2M32B2TG-6 IT : G TR	-	RFQ	5183	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	2m x 32	평행한	12ns
M29F400FT55M3T2 TR	-	RFQ	8397	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	M29F400	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	500		비 비	4mbit	55 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	55ns
MTFC16GAPALNA-EAT TR	-	RFQ	8963	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC16				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT29F512G08CMECBH7-12 : C TR	-	RFQ	9862	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-TBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT53E4G32D8CY-046 WT : C TR	90.4650	RFQ	6905	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT : CTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
MT29F256G08CKCDBJ5-6R : D TR	-	RFQ	2991	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT40A512M8RH-075E : B TR	-	RFQ	9458	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	512m x 8	평행한	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QM : C.	78.1500	RFQ	4940	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM : C.			1
N25Q512A11GSF40G	-	RFQ	4690	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q512A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16- 형의 행위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,225	108 MHz	비 비	512mbit		플래시	128m x 4	SPI	8ms, 5ms
M25P10-AVMN6P	-	RFQ	4553	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P10	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000	50MHz	비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT41K128M8DA-107 : J TR	5.0100	RFQ	214	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K128M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	20 ns	음주	128m x 8	평행한	-
EDF8164A3PK-JD-FR TR	-	RFQ	3705	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	EDF8164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	216-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
PC28F00AP33EF0	-	RFQ	9285	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F00A	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	184	52MHz	비 비	1gbit	95 ns	플래시	64m x 16	평행한	95ns
MT29F16G08ABCCBH1-AAT : c	33.8100	RFQ	874	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F16G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT : c	3A991B1A	8542.32.0071	1,120		비 비	16gbit	20 ns	플래시	2G X 8	onfi	20ns
NAND08GW3C2BN6E	-	RFQ	6298	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NAND08G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-Nand08gw3c2bn6e	3A991B1A	8542.32.0071	96		비 비	8gbit	25 ns	플래시	1g x 8	평행한	25ns
PC28F256P33B85A	-	RFQ	1408	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	256mbit	85 ns	플래시	16m x 16	평행한	85ns
MT47H256M8THN-25E IT : h	-	RFQ	9205	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	63-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	63-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
N28H00CB03JDK11E	-	RFQ	7241	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	270
MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR	-	RFQ	1661	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU02	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	xccela 버스	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²