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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT49H16M36SJ-25 IT : B TR	-	RFQ	6803	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT53E1DBDS-DC	22.5000	RFQ	5534	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인				MT53E1				-			영향을받지 영향을받지	557-MT53E1DBDS-DC			1,360
MT29F4T08CTHBBM5-3C : b	-	RFQ	5036	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F4T08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000	333 MHz	비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
NAND01GR3B2BZA6E	-	RFQ	6692	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-TFBGA	NAND01	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-Nand01gr3b2bza6e	3A991B1A	8542.32.0051	210		비 비	1gbit	30 ns	플래시	128m x 8	평행한	30ns
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR	-	RFQ	5441	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W4MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		휘발성 휘발성	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	평행한	70ns
MT29F4T08CTCBBM5-37ES : B TR	-	RFQ	3765	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F4T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
MT28F800B3SG-9 TET TR	-	RFQ	7184	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F800B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	90ns
MT29F512G08CKECBH7-12 : C TR	-	RFQ	3252	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-TBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT44K32M18RB-107 : a	-	RFQ	7549	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K32M18	음주	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0024	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	10 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT29F128G08CECABH1-10Z : a	-	RFQ	8681	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT48LC4M32B2B5-7 : g	-	RFQ	7782	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	14ns
EDB4432BBBJ-1DAIT-FR TR	-	RFQ	1688	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	134-WFBGA	EDB4432	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	134-FBGA (10x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR	-	RFQ	4929	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25TL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR	-	RFQ	2016	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT40A4G4NEA-062E : R Tr	21.7650	RFQ	2159	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA		sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	-				557-MT40A4G4NEA-062E : RTR			2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	4G X 4	평행한	15ns
MT53D4DDFL-DC	-	RFQ	7093	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,120
MT46V256M4P-75 : a	-	RFQ	4101	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	750 ps	음주	256m x 4	평행한	15ns
MT41K1G8TRF-125 : E TR	-	RFQ	8168	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.5 ns	음주	1g x 8	평행한	-
MT53D512M32D2DS-046 AAT : D TR	-	RFQ	6871	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT48LC16M8A2P-7E : L TR	-	RFQ	7310	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC16M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	16m x 8	평행한	14ns
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K	10.1850	RFQ	2748	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	149-WFBGA		플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	149-WFBGA (8x9.5)	다운로드				557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K			1		비 비, 휘발성	4gbit	25 ns	플래시, 램	512m x 8	onfi	30ns
M50FLW040BN5G	-	RFQ	5077	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FLW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	120	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
EDFA112A2PD-JD-FD	-	RFQ	5339	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	128m x 128	평행한	-
MT48LC4M32B2B5-6A AAT : L.	9.7800	RFQ	6505	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0002	1,440	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR	34.4100	RFQ	9197	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU02	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
EDFP112A3PB-GD-FR TR	-	RFQ	1127	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
mtfc8gludm-ait tr	-	RFQ	4672	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
PC28F160C3TD70A	-	RFQ	7396	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F160	플래시 - 블록 부트	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	144		비 비	16mbit	70 ns	플래시	1m x 16	평행한	70ns
MT29F1HT08ELCBBG1-37 : B TR	-	RFQ	1987	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	272-VFBGA	MT29F1HT08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	272-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	비 비	1.5tbit		플래시	192g x 8	평행한	-
MT29F1G08ABAEAWP : E TR	2.9800	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²