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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53D4DASB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DASB-DC -
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53D4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190
MT46H8M16LFCF-75 IT Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-75 IT -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MTFC64GBCAQDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQDQ-AAT 29.4000
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC64GBCAQDQ-AAT 1
PC48F4400P0TB0E3 Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0E3 -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 144 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT47H32M16HR-187E:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E : g -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT : C TR 30.2400
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR 14.4150
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT47H64M8CB-3:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-3 : b -
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT62F3G32D8DV-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AAT : b 94.8300
RFQ
 ECAD 8369 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AAT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 3G X 32 평행한 -
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 AUT : b 37.9050
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 512m x 64 평행한 18ns
MT58V1MV18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-7.5 18.9400
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58V1MV18 SRAM 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
MT25QL256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0AAT 6.5500
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT25QL256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT40A8G4BAF-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E : B TR -
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E : BTR 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 1.6GHz 비 비 32gbit 13.75 ns 음주 8g x 4 평행한 -
PC28F256P30TFG Micron Technology Inc. PC28F256P30TFG -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT58L128L32F1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5TR 4.7200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT : e -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
EDFA164A2MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
N25Q128A11EV740 Micron Technology Inc. N25Q128A11EV740 -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT47H64M16HR-3 AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AIT : h -
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT46H64M32LFCX-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AT : b -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MTFC8GAMALBH-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-ait es -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR 10.3350
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29AZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-mt29az5a3chhtb-18ait.109tr 3,000
M28W320HST70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320HST70ZB6E -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M28W320HST70ZB6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,380 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR Micron Technology Inc. MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR -
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29AZ2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-mt29az2bhgtn-18it.111tr 1,000
MT47H128M8CF-3:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 : h -
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29TZZZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F 12.3100
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F 1
MT54W1MH18JF-5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-5 23.6300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 450 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
M29F400BB70N1 Micron Technology Inc. M29F400BB70N1 -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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