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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V128M8P-75:A Micron Technology Inc. MT46V128M8P-75 : a -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-75 L IT : g -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M58WR064KB7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR064KB7AZB6E -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 336 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT : B TR 73.4400
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 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT49H16M36FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25E : b -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT40A512M8RH-075E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AAT : b -
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 ECAD 9564 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U -
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 ECAD 9503 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C4 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 980 533 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
MTFC8GACAENS-K1 AIT Micron Technology Inc. mtfc8gacaens-k1 ait -
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 ECAD 5434 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT41K512M16TNA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 M : E TR -
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 512m x 16 평행한 -
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-75 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MTFC16GJVEC-IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-IT TR -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
NAND16GW3B6DPA6E Micron Technology Inc. NAND16GW3B6DPA6E -
RFQ
 ECAD 1423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 114-LFBGA NAND16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 114-LFBGA (12x16) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand16GW3B6DPA6E 3A991B1A 8542.32.0071 810 비 비 16gbit 25 ns 플래시 2G X 8 평행한 25ns
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CPCBBH8-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29E1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 IT : b -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT62F2G64D8EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT : B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT49H16M18CFM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25 : b -
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT28EW512ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew512aba1hjs-0sit 12.1700
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
M58LR256KB70ZQ5E Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5E -
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 88-TFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 253 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-8 -
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT46V64M8BN-6:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 : f -
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT : f 2.4489
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F1G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT29F1G01ABBFDWB-IT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
M45PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE20-VMP6TG TR -
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 ECAD 4151 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT47R128M8CF-3:H Micron Technology Inc. MT47R128M8CF-3 : h -
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 ECAD 8198 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47R128M8 sdram -ddr2 1.55V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT : C TR -
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
M29W320DB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB7AZA6F TR -
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 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 63-TFBGA (7x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3ES : B TR -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E384G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 384gbit 플래시 48g x 8 평행한 -
M29W320DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320DB70ZE6E -
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M29W320DB70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT48LC32M8A2P-7E:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E : d -
RFQ
 ECAD 5485 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 14ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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