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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AAT : e 4.7200
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT41J256M16HA-093G:E TR Micron Technology Inc. MT41J256MA-093G : E TR -
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
PZ28F064M29EWBA Micron Technology Inc. PZ28F064M29ewba -
RFQ
 ECAD 1940 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA PZ28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT53B2DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B2DBDS-DC TR -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L 2.6600
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F2G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L 8542.32.0071 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT40A1G16TB-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E IT : F TR 14.9550
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G16TB-062EIT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT46V16M16P-5B IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B IT : K TR -
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
M29W400DT55N6E Micron Technology Inc. M29W400DT55N6E -
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MTFC16GJVEC-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-4M IT -
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT62F1G16D1DS-023 IT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT ES : B TR 12.5550
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G16D1DS-023ITES : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 1g x 16 평행한 -
M29W256GH70N6E Micron Technology Inc. M29W256GH70N6E -
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CLHBBG1-3RES : B TR -
RFQ
 ECAD 4508 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT : e -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTFC16GAKAECN-2M WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-2M WT TR -
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-IT : a -
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
JS28F00AP33BF0 Micron Technology Inc. JS28F00AP33BF0 -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AP33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 40MHz 비 비 1gbit 105 ns 플래시 64m x 16 평행한 105ns
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E TR Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QB : E TR 211.8900
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08ESLEEG4-QB : ETR 1,500
MT28EW01GABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1hpc-0sit -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 1gbit 95 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W512KW16BEGB-708 WT TR -
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W512KW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns psram 512k x 16 평행한 70ns
MT46V64M8P-5B AIT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B AIT : J. -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT40A1G8AG-062E AUT:R Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AUT : r -
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G8AG-062EAUT : r 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
PC28F512M29EWLA Micron Technology Inc. PC28F512M29ewla -
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 ECAD 4309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
MTFC8GAMALBH-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-ait es tr -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT46V64M8CV-5B:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B : J. -
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AIT : D TR -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT53E2G32D4DE-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AAT : a 63.1350
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E2G32D4DE-046AAT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 2G X 32 평행한 18ns
N25Q064A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48LC32M8A2P-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E : D TR -
RFQ
 ECAD 3757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 14ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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