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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	인터페이스	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	키	밀도	핀 핀	포장	공급 공급	공장 공장 타임	접촉 접촉	산	게시	부품 부품	최대 최대 온도	최소 최소 온도	기본 기본 번호	최대 최대 전압	최소 최소 전압	공칭 공칭 전류	주소 주소 너비	동기화/비동기	단어 단어	페이지 페이지	주변 주변 범위가 온도
MT38W201DAA033JZZI.X68	-	RFQ	3565	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,940
NAND08GAH0BZA5E	-	RFQ	3013	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-LFBGA	NAND08G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	169-LFBGA (12x16)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-nand08gah0bza5e	3A991B1A	8542.32.0071	810		52MHz	비 비	8gbit		플래시	1g x 8	MMC	-
mtfc256Gasaons-ait	92.5800	RFQ	8071	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q104	상자	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	153-TFBGA		플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-				557-MTFC256GASAONS-AIAT			1		52MHz	비 비	2tbit		플래시	256g x 8	UFS2.1	-
MT29F1G08ABADAWP-IT : d	-	RFQ	9739	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960			비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
mtfc32gjgdq-ait z	-	RFQ	3188	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC32G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980			비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
mtfc64gapalna-ait	-	RFQ	3701	Micron Technology Inc.	-	상자	마지막으로 마지막으로				MTFC64				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980
M58LT128HSB8ZA6F TR	-	RFQ	4263	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	80-lbga	M58LT128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	80-lbga (10x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
MTFC128GAZAOTD-AAT TR	65.5350	RFQ	6938	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MTFC128GAZAOTD-AATTR			2,000
MT29F512G08EKCBBJ5-6 : b	-	RFQ	5129	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1		167 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT53B256M32D1GZ-062 AIT : b	-	RFQ	3258	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (11x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1		1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
MT29E128G08CECDBJ4-6 : d	-	RFQ	4840	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29E128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,120			비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT40A2G8JC-062E : E TR	-	RFQ	8795	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A2G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x11)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	557-MT40A2G8JC-062E : ETR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000		1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	2G X 8	평행한	15ns
M25P80-VMC6TG TR	-	RFQ	3087	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000		75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT53E512M64D2HJ-046 AIT : B TR	29.9700	RFQ	8108	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	556-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E512M64D2HJ-046AIT : BTR			2,000		2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit	3.5 ns	음주	512m x 64	평행한	18ns
MT48LC4M16A2B4-6A : J TR	-	RFQ	1925	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000		167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	4m x 16	평행한	12ns
MT29F64G08AMABAC5 : b	-	RFQ	3196	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-VLGA	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	52-VLGA (18x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000			비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT44K32M18RB-125E IT : a	-	RFQ	2818	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K32M18	음주	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000		800MHz	휘발성 휘발성	576mbit	10 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT35XU512ABA2G12-0SIT TR	7.5600	RFQ	2871	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT35XU512ABA2G12-0SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500		200MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	xccela 버스	-
1616-MT29F1G08ABAEAH4-ITX : e	-	RFQ	2450					-40 ° C ~ 85 ° C TA	표면 표면	63-VFBGA			2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)						평행한		비 비	1GB 128m x 8	25 ns	플래시		평행한		1mm	1GB	63	쟁반	3.3v	5 주	구리, 주석,은	표면 표면	2013	활동적인	85 ° C	-40 ° C	MT29F1G08	3.6v	2.7V	35MA	28b	비동기	8b	2KB	85 ° C
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES : D TR	-	RFQ	1840	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D1G32	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000		1.6GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
M28W320FCT70ZB6F TR	-	RFQ	3823	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	47-TFBGA	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	47-TFBGA (6.39x6.37)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500			비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT46V32M16FN-75 L : C.	-	RFQ	1875	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000		133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F16G16ADACAH4-IT : c	-	RFQ	8952	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F16G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260			비 비	16gbit		플래시	1g x 16	평행한	-
M50LPW116N5TG TR	-	RFQ	8163	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50LPW116	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		33MHz	비 비	16mbit	250 ns	플래시	2m x 8	평행한	-
MT58L256L36ft-7.5	15.6400	RFQ	11	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	MT58L256L36	sram- 동기	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1		113 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	7.5 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
MT45W2MW16PABA-70 WT	-	RFQ	4583	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-VFBGA	MT45W2MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000			휘발성 휘발성	32mbit	70 ns	psram	2m x 16	평행한	70ns
MT29F256G08EFEBBWP-M : B TR	-	RFQ	2802	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F256G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000			비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
M25P16-VMN3PB	-	RFQ	2734	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000		75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
N25Q256A13ESFA0F TR	-	RFQ	1469	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q256A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		108 MHz	비 비	256mbit		플래시	64m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES : D.	-	RFQ	5998	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360		2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²