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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H64M16LFCK-6 IT : A TR	-	RFQ	3632	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H64M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (10x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	5 ns	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT48LC16M16A2P-6A AAT : G TR	-	RFQ	6099	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC16M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	16m x 16	평행한	12ns
M25PE16-VMW6G	-	RFQ	3242	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	M25PE16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8- w	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,800	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 3ms
M25PX16-V6D11	-	RFQ	7239	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M25PX16	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT46H32M32LFCM-5 IT : a	-	RFQ	8092	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	1gbit	5 ns	음주	32m x 32	평행한	15ns
M25P16-VMN6P	-	RFQ	3255	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F1T08EBLCEJ4-ES : C.	-	RFQ	6774	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES : c			1
MT29F1G16ABBDAHC : D TR	-	RFQ	8439	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT58L64L18CT-10	7.0500	RFQ	22	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2B	8542.32.0041	1
MT29F128G08CKCCBH2-12Z : c	-	RFQ	8358	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT29F8T08EULCHD5-M : C TR	167.8050	RFQ	8851	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F8T08EULCHD5-M : CTR			2,000
MT47H64M16HR-3 AAT : H TR	-	RFQ	8765	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT29F2G08ABAEAH4-ite : e	-	RFQ	1690	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
MT29F1G08ABCHC : C TR	-	RFQ	2427	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT53E1G32D4NQ-053 WT : e	-	RFQ	8142	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G32	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-					쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
MT29F512G08EBHAFJ4-3T : A TR	-	RFQ	7205	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (TLC)	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT29F512G08EBHAFJ4-3T : ATR	쓸모없는	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT29F1G08ABAFAWP-AATES : f	-	RFQ	6153	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			8542.32.0071	1		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	20ns
MT29F32G08CBECBL73A3WC1	-	RFQ	8599	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	주사위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT29F4T08GMLCEJ4 : c	78.1500	RFQ	4679	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4 : c			1
MT29F256G08EECDBJ4-5M : D TR	-	RFQ	3349	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT53E4G32D8CY-046 WT : C TR	90.4650	RFQ	6905	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT : CTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
MT29F128G08CBEABH6-12M : A TR	-	RFQ	9078	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT29F2G01ABAGDWB-IT : G TR	2.8500	RFQ	712	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn	MT29F2G01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	8-updfn (8x6) (mlp8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		비 비	2gbit		플래시	2G x 1	SPI	-
MT46H64M32LFCX-5 IT : B TR	-	RFQ	9265	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (9x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	15ns
mtfc8glvea-1f wt tr	-	RFQ	4410	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
mtfc32gjuef-ait	-	RFQ	9351	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-TFBGA	MTFC32G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MT46V32M16P-5B IT : J.	-	RFQ	8647	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,080	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
ECF440AACCN-P4-Y3	-	RFQ	8222	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				ECF440				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1
N25Q128A11TSF40F TR	-	RFQ	8608	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q128A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 5ms
NAND512R3A2SN6E	-	RFQ	1676	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NAND512	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	512mbit	50 ns	플래시	64m x 8	평행한	50ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²