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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F1G16ABBDAH4 : d	-	RFQ	9895	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT53D4DABD-DC	-	RFQ	6486	Micron Technology Inc.	*	상자	활동적인				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,360
PC28F640P30T85A	-	RFQ	3909	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F640	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	64mbit	85 ns	플래시	4m x 16	평행한	85ns
MT48LC16M16A2B4-6A AAT : g	-	RFQ	9081	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,560	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	16m x 16	평행한	12ns
mt29f1g16abbdah4-itx : d	-	RFQ	9000	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT25QU256ABA8ESF-MSIT	-	RFQ	5738	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QU256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-SOP2	다운로드			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT48H4M16LFB4-75 : H TR	-	RFQ	9154	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	6 ns	음주	4m x 16	평행한	15ns
MT28F008B3VG-9 TET	-	RFQ	9919	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F008B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8	평행한	90ns
M29W800DT70ZM6E	-	RFQ	8742	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	187		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
MT48LC32M8A2BB-7E : g	-	RFQ	9508	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT48LC32M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	60-FBGA (8x16)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	32m x 8	평행한	14ns
M28W640HCT70ZB6F TR	-	RFQ	8978	Micron Technology Inc.	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M28W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6.39x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	4m x 16	평행한	70ns
MT41K512M4HX-15E : d	-	RFQ	5943	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M4	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.5 ns	음주	512m x 4	평행한	-
MT29F1T08CPECBH8-12 : C TR	-	RFQ	9364	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	83MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
MT29F2G08ABAFAH4-S : F.	-	RFQ	1767	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
PC28F640P30TF65A	-	RFQ	6457	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F640	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	64mbit	65 ns	플래시	4m x 16	평행한	65ns
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1	-	RFQ	4771	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F2G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
MT28GU256AAA1EGC-0SIT	-	RFQ	5033	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	MT28GU256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-TBGA (10x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	133 MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	32m x 8	평행한	-
EDF8164A3PD-GD-FD	-	RFQ	4843	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	960	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
MT29F16G08ABCCBH1-10 : c	-	RFQ	1059	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT29F8T08EULCHD5-QA : C.	167.8050	RFQ	9004	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F8T08EULCHD5-QA : C.			1
MT29F128G08CBECBL95B3WC1	-	RFQ	2546	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	주사위	-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT58L256L36PS-7.5TR	18.9400	RFQ	6	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	4 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C TR	-	RFQ	9162	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29AZ5				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는		1,000
MT29F8G08ABACAWP-ait : c	5.8748	RFQ	9845	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F8G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			8542.32.0071	960		비 비	8gbit		플래시	1g x 8	평행한	20ns
MTFC8GLDDQ-4M IT TR	-	RFQ	6347	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC8	플래시 - NAND	1.65V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
PC28F064M29ewha	-	RFQ	5057	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	64mbit	60 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	60ns
MT48LC4M32LFB5-8 XT : G TR	-	RFQ	9406	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	4m x 32	평행한	15ns
MT40A512M16LY-062E IT : E TR	-	RFQ	8738	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A512M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	평행한	-
M29F010B45K6E	-	RFQ	1648	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M29F010	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32		비 비	1mbit	45 ns	플래시	128k x 8	평행한	45ns
M29F800DT70N6E	-	RFQ	1672	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F800	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²