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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
EDFA232A2PB-JD-FD	-	RFQ	7196	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	-	EDFA232	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,680	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	평행한	-
N25Q128A11ESE40G	-	RFQ	2431	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q128A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8- w	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-1572-5	3A991B1A	8542.32.0071	1,800	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT45W2MW16BAFB-706 WT	-	RFQ	1281	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W2MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (6x9)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		휘발성 휘발성	32mbit	70 ns	psram	2m x 16	평행한	70ns
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES : B TR	-	RFQ	4035	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT48LC4M32B2P-6 : g	-	RFQ	1703	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT29F4G16ABADAH4 : D TR	-	RFQ	3300	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT29F128G08CBECBH6-12 : C TR	-	RFQ	8637	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
NAND01GW3B2CZA6E	-	RFQ	6563	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-TFBGA	NAND01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9.5x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-Nand01GW3B2CZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit	25 ns	플래시	128m x 8	평행한	25ns
MT53B768M32D4TT-062 WT ES : B TR	-	RFQ	7154	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	768m x 32	-	-
M29F800DB70N6	-	RFQ	5667	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F800	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
M25P16-VMN3TPB TR	-	RFQ	1974	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F2G08ABAEAH4-IT : E TR	4.2400	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
EDFA164A2PM-JD-FD	-	RFQ	3486	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	평행한	-
MT47H128M16RT-25E IT : c	15.2500	RFQ	270	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H128M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (9x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,260	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	128m x 16	평행한	15ns
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES : D.	-	RFQ	2399	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	432-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	432-VFBGA (15x15)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	1G X 64	-	-
MT53D4DBSB-DC	-	RFQ	9441	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,190
MT29F6T08ETCBBM5-37 : B TR	-	RFQ	9804	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F6T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	비 비	6tbit		플래시	768g x 8	평행한	-
MT58L64L32PT-6 TR	-	RFQ	7637	Micron Technology Inc.	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500
MT53E256M32D2FW-046 AUT : B TR	17.8200	RFQ	4779	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드				557-MT53E256M32D2FW-046AUT : BTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	8gbit	3.5 ns	음주	256m x 32	평행한	18ns
MT29F128G08EBCBBJ4-6 : b	-	RFQ	3804	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,120	166 MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT41K512M8RH-125 V : E TR	-	RFQ	8270	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	512m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
MT46V32M16FN-5B : f	-	RFQ	1083	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT55L256L18F1F-10	4.4800	RFQ	264	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		SRAM -ZBT	3.135V ~ 3.465V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	4mbit	7.5 ns	SRAM	256k x 18	평행한	-
MT46V32M16P-75 IT : c	-	RFQ	8321	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR	-	RFQ	2280	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MT29RZ4C4	플래시 -nand, dram -lpddr2	1.8V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	533 MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2)		플래시, 램	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2)	평행한	-
EDFP164A3PD-GD-FR TR	-	RFQ	2233	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	EDFP164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	평행한	-
MT29F384G08EBCBBJ4-37 : B TR	-	RFQ	7749	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F384G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	비 비	384gbit		플래시	48g x 8	평행한	-
MT46V32M8TG-6T IT : G TR	-	RFQ	4165	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT40A512MM16JY-075E AIT : B TR	-	RFQ	2681	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A512M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	평행한	-
MT55L256L32PF-10	8.9300	RFQ	240	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		SRAM -ZBT	3.135V ~ 3.465V	165-FBGA (13x15)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	8mbit	5 ns	SRAM	256k x 32	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²