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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F64G08CBCGBSX-37BES : g	-	RFQ	6161	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260	267 MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT49H16M18BM-25 IT : B TR	-	RFQ	7754	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	16m x 18	평행한	-
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8	-	RFQ	2954	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는				MT29VZZZAD8				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520
MT25QL128ABA1EW9-0SIT TR	4.5400	RFQ	18	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-WPDFN (8x6) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
M25P128-VMF6TP TR	-	RFQ	9975	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	50MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	15ms, 7ms
N25Q128A13BSF40F TR	-	RFQ	7985	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 5ms
MT53D512M32D2NP-053 WT : d	-	RFQ	9654	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
M29W160EB70ZS6F TR	-	RFQ	3673	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W160	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	1,800		비 비	16mbit	70 ns	플래시	2m x 8, 1m x 16	평행한	70ns
M58LT256JSB8ZA6F TR	-	RFQ	9924	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	80-lbga	M58LT256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	80-lbga (10x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	52MHz	비 비	256mbit	85 ns	플래시	16m x 16	평행한	85ns
MT53B512M16D1Z11NWC1	-	RFQ	8477	Micron Technology Inc.	*	대부분	활동적인				MT53B512				-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
N25Q128A13EF8C0E	-	RFQ	9457	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (mlp8) (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR	-	RFQ	5945	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC8M32	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT42L128M64D4LD-25 IT : a	-	RFQ	1766	Micron Technology Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	220-VFBGA	MT42L128M64	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	220-FBGA (14x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
MT62F1536M64D8EK-026 AIT : b	86.2050	RFQ	7378	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C	표면 표면	441-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-026AIT : b			1	3.2GHz	휘발성 휘발성	96gbit		음주	1.5GX 64	-	-
MT29F256G08AUCABH3-10IT : a	-	RFQ	5875	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MT29F256G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
JS28F128P30BF75A	-	RFQ	7559	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F128P30	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576	40MHz	비 비	128mbit	75 ns	플래시	8m x 16	평행한	75ns
MT29F2G08ABAGAH4- 라이트 : G TR	2.8500	RFQ	2	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
MT53B768M32D4NQ-062 AIT : b	-	RFQ	5382	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53B768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	768m x 32	-	-
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR	-	RFQ	4536	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XL02	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	xccela 버스	-
MT48LC4M32B2P-6A AIT : L TR	-	RFQ	8443	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
M29W640GT7AN6F TR	-	RFQ	8009	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT29F1T08CPCCBH8-6R : C TR	-	RFQ	8178	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	167 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
N25Q032A13ESCA0F TR	-	RFQ	2235	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	N25Q032A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	8m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT62F1G64D4EK-023 WT ES : c	68.0400	RFQ	9342	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT62F1G64D4EK-023WTES : c			1
MT49H32M18CSJ-25E IT : B TR	-	RFQ	1416	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT	-	RFQ	1401	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	130-VFBGA	MT29C1G12	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비, 휘발성	1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM)		플래시, 램	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	평행한	-
M29W640FT70ZA6F TR	-	RFQ	6739	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MTFC256GAOAMAM-WT ES	-	RFQ	4600	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MTFC256	플래시 - NAND	-	-	-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	1,520		비 비	2tbit		플래시	256g x 8	MMC	-
MT29F1T208ECHBBJ4-3R : B TR	-	RFQ	6022	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F1T208	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	1.125tbit		플래시	144g x 8	평행한	-
N25Q064A13EV740	-	RFQ	2685	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²