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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V16M16TG-75 L:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 L : F. -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT25QL01GBBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8E12-0AUT 24.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT25QL01GBB8E12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC16GLXDV-WT Micron Technology Inc. MTFC16GLXDV-WT -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10 : a -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR -
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 ECAD 7368 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 xccela 버스 -
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F -
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 162-VFBGA MT29RZ2B2 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA (10.5x8) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 256m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
MT45W2MW16BABB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W2MW16BABB-706 WT TR -
RFQ
 ECAD 1263 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
MT47H128M16RT-25E XIT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E XIT : c -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0036 1,260 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8 : g -
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 ECAD 9869 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT : c -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MTFC16GJDEC-2M WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-2M WT TR -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-WFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-WFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT48V8M16LFB4-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 IT : g -
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M50FW040N1 Micron Technology Inc. M50FW040N1 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT48LC8M16A2P-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT41J512M8THD-15E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8thd-15e : d -
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J512M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT40A512M16JY-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512MM16JY-083E AAT : b -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,280 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
PC28F00AP30EF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30EF0 -
RFQ
 ECAD 6374 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 1gbit 100 ns 플래시 64m x 16 평행한 100ns
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AAT : L. -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
M29F400FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F400FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
M36L0R7050U3ZSE Micron Technology Inc. M36L0R7050U3ZSE -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
MT44K16M36RB-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125E : A Tr -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F4G08BABWP-ET Micron Technology Inc. MT29F4G08BABWP-et -
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT25QL128ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC64GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gapalna-ait es tr -
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 ECAD 9444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MTFC64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT28F400B3WG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT53D2DADS-DC Micron Technology Inc. MT53D2DADS-DC -
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT53D2 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,360
M25PX80-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES : g -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT49H16M18BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-25 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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