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MT40A1G8WE-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E : b -
RFQ
ECAD 9783 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT45W4MW16BFB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-706 WT TR -
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125 IT : A TR -
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 12 ns 음주 32m x 36 평행한 -
MT44K16M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E : A TR -
RFQ
ECAD 5693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT44K16M36RB-093 IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093 IT : a -
RFQ
ECAD 6425 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT46V64M16P-6T IT:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T IT : a -
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AAT : B TR -
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
EDFP112A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 3408 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT ES : C TR -
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 WT : D TR -
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
PN28F128M29EWHA TR Micron Technology Inc. PN28F128M29EWHA TR -
RFQ
ECAD 4127 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) PN28F128M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 PN28F128M29ewhatr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT46H64M16LFBF-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-6 IT : b -
RFQ
ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT41K64M16JT-15E:G Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-15E : g -
RFQ
ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 64m x 16 평행한 -
MT48H8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT TR -
RFQ
ECAD 8807 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MTFC32GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAQHD-AAT 19.1400
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,520 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
MT48LC4M16A2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6 : G TR -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT29F64G08CBABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP : b -
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT : B TR 16.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAML-6 IT -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 153-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6 : D TR -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT : D TR -
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-VFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT47H128M16RT-187E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-187E : C TR -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 350 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT28F008B5VG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 TET -
RFQ
ECAD 8995 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8 평행한 80ns
MT46V32M8FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75 : g -
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT46V64M8TG-75 IT:D Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75 IT : d -
RFQ
ECAD 3234 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48LC16M16A2TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-75 : D TR -
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT45W1MW16PDGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PDGA-70 WT TR -
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT : A TR -
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES -
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93 : P TR -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고