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![]() | MT44K32M36RCT-125 IT : A TR | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-lbga | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 12 ns | 음주 | 32m x 36 | 평행한 | - | |||
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![]() | MT44K16M36RB-093 IT : a | - | ![]() | 6425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 10 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V64M16P-6T IT : a | - | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 700 PS | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT48LC4M16A2TG-6 : G TR | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC4M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT29F64G08CBABAWP : b | - | ![]() | 4495 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT52L256M32D1PF-107 WT : B TR | 16.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 178-VFBGA | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29C1G12MAACAEAML-6 IT | - | ![]() | 6535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 153-VFBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F64G08AECDBJ4-6 : D TR | - | ![]() | 7754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53D768M64D8JS-053 WT : D TR | - | ![]() | 9349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 366-VFBGA | MT53D768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 366-VFBGA (12x12.7) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | - | - | |||
![]() | MT47H128M16RT-187E : C TR | - | ![]() | 6128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H128M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 350 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT28F008B5VG-8 TET | - | ![]() | 8995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F008B5 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop i | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8mbit | 80 ns | 플래시 | 1m x 8 | 평행한 | 80ns | |||
![]() | MT46V32M8FG-75 : g | - | ![]() | 4197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46V64M8TG-75 IT : d | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | - | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC16M16A2TG-75 : D TR | - | ![]() | 9804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT45W1MW16PDGA-70 WT TR | - | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT48H16M32LFCM-75 IT : A TR | - | ![]() | 8073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H16M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES | - | ![]() | 5345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 주사위 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||||
MT41K256M16TW-93 : P TR | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - |
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