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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
MT40A1G8WE-075E : B TR	-	RFQ	2880	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (8x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	1g x 8	평행한	-
MT28F800B5WG-8 b	-	RFQ	6993	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
MT46V32M8TG-75Z : g	-	RFQ	3159	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	750 ps	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT48H16M32L2B5-10	-	RFQ	2076	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT47H64M16HR-3 IT : h	-	RFQ	5276	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT58L1MY18ft-8.5	21.0700	RFQ	964	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	18mbit	8.5 ns	SRAM	1m x 18	평행한	-
MT29F128G8CFABBWP-12 : B TR	-	RFQ	2640	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F128G8			48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
M25PX64STVMF6TP TR	-	RFQ	1640	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25PX64	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	75MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT41K128M16JT-107 : K TR	-	RFQ	6051	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K128M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT53D1536M32D4NQ-046 WT : A TR	27.9300	RFQ	2036	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT53D1536M32D4NQ-046WT : ATR			2,000
MT28F800B5WG-8 BET TR	-	RFQ	2793	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4	-	RFQ	9971	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT29F256G08CECCBH6-6ITR : c	-	RFQ	6476	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT29F1G16ABBEAHC : E TR	-	RFQ	4140	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
M58LR128KB85ZB6F TR	-	RFQ	6720	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	M58LR128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-VFBGA (7.7x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
MT48LC8M16LFB4-8 : g	-	RFQ	7557	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT40A1G16KNR-075 : e	20.8542	RFQ	1008	Micron Technology Inc.	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100	1.33 GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	1g x 16	평행한	15ns	확인되지 확인되지
MT46V256M4P-6T : A TR	-	RFQ	1304	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	700 PS	음주	256m x 4	평행한	15ns
MT53D4DACB-DC	-	RFQ	2334	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는		-	-	MT53D4	sdram- 모바일 lpddr4		-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360		휘발성 휘발성			음주
MT53D384M32D2DS-053 AUT : c	-	RFQ	8014	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
EDFP112A3PB-GD-FD TR	-	RFQ	4587	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR	18.3750	RFQ	2603	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	149-VFBGA		플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	149-VFBGA (8x9.5)	-				557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112TR			2,000		비 비, 휘발성	8gbit	25 ns	플래시, 램	1g x 8	onfi	30ns
mt28ew01gaba1hpc-0aat tr	-	RFQ	2855	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	1gbit	105 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	60ns
MT40A1G16HBA-083E : a	-	RFQ	9455	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (9.5x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,020	1.2GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	1g x 16	평행한	-
NAND02GR3B2DZA6E	-	RFQ	8415	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-TFBGA	NAND02G	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9.5x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-Nand02gr3b2dza6e	3A991B1A	8542.32.0051	1,260		비 비	2gbit	45 ns	플래시	256m x 8	평행한	45ns
M29W800DT45ZE6E	-	RFQ	9155	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	1,122		비 비	8mbit	45 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	45ns
RC28F128J3F75F	-	RFQ	6114	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	144		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
M29DW640F70ZE6E	-	RFQ	1002	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29DW640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	187		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT46V16M16P-5B : M TR	-	RFQ	9973	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	16m x 16	평행한	15ns
PC48F4400P0VB0E4	-	RFQ	8876	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-lbga	PC48F4400	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²