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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
ECF840AACN-C2-Y3	-	RFQ	1750	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	-	-	ECF840A	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1		휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	평행한	-
M45PE40S-VMP6TG TR	-	RFQ	4998	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M45PE40	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-VFQFPN (6x5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	15ms, 3ms
MT28GU256AA1EGC-0SIT TR	-	RFQ	6207	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	MT28GU256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-TBGA (10x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	32m x 8	평행한	-
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT : D TR	-	RFQ	3676	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000	83MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT48H16M32LFB5-75 IT : C TR	-	RFQ	2654	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5.4 ns	음주	16m x 32	평행한	15ns
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR	-	RFQ	3312	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	130-VFBGA	MT29C1G12	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비, 휘발성	1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM)		플래시, 램	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	평행한	-
MT48LC4M32B2P-7 : G TR	-	RFQ	6003	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	14ns
mtfc64gazaqhd-aat tr	38.9100	RFQ	2154	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	153-VFBGA	MTFC64	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-VFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFC64GAZAQHD-AATTR			1		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	EMMC	-
MT29F8G16ABACAWP : c	-	RFQ	7803	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F8G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	8gbit		플래시	512m x 16	평행한	-
MT47H128M8CF-25E AIT : h	-	RFQ	7378	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	128m x 8	평행한	15ns
EDFA232A2PD-GD-FR TR	-	RFQ	4731	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA232	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	평행한	-
MT28F800B3WP-9 B TR	-	RFQ	5731	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	90ns
MT52L1G32D4PG-107 WT : b	53.9550	RFQ	1814	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L1G32	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (12x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,680	933 MHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
JS28F00AP30EF0	-	RFQ	2809	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F00AP30	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	96	40MHz	비 비	1gbit	110 ns	플래시	64m x 16	평행한	110ns
MT53B256M64D2NL-062 XT : B TR	-	RFQ	8118	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT40A512M8SA-062E : f	8.3250	RFQ	9576	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	512m x 8	평행한	-
MT29F4G01ABAFD12- 사이트 : F TR	-	RFQ	5349	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT29F4G01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	4gbit		플래시	4g x 1	SPI	-
MTFC32GJDED-4M IT TR	-	RFQ	7445	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-VFBGA	MTFC32G	플래시 - NAND	1.65V ~ 3.6V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MT29F4G16ABADAH4-AIAI : D TR	-	RFQ	4842	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT46V32M8TG-75 L : G TR	-	RFQ	6076	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	750 ps	음주	32m x 8	평행한	15ns
MTFC64GAPALNA-AAT	-	RFQ	9480	Micron Technology Inc.	-	상자	마지막으로 마지막으로				MTFC64				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980
MT41J128M8JP-107 : g	-	RFQ	9936	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J128M8	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	128m x 8	평행한	-
MT53D4DAHR-DC	-	RFQ	6462	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는				MT53D4				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360
MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y	-	RFQ	7318	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT29VZZZ7				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,520
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR	-	RFQ	6646	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	xccela 버스	-
MT53E128M16D1FW-046 AIT : a	5.7400	RFQ	5357	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)			MT53E128	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT53E128MD1FW-046AIT : a	귀 99	8542.32.0036	136	2.133 GHz	휘발성 휘발성	2gbit		음주	128m x 16	-	-
M29F160FB5KN3E2 TR	-	RFQ	8200	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				M29F160				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1B1	8542.32.0071	1,500
MT28F004B5VG-8 B TR	-	RFQ	3583	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F004B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8	평행한	80ns
MT29F128G08CECABH1-12Z : a	-	RFQ	7483	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT53B512M32D2NP-062 WT : C.	-	RFQ	7574	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²