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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F512G08EMCBBJ5-6 : B.001	-	RFQ	8258	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	167 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT46V64M8TG-75 : d	-	RFQ	9903	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MTFC4GMDEA-1M WT	-	RFQ	3094	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8523.51.0000	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT29F2T08CUCBBK9-37 : B TR	-	RFQ	1232	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F2T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT29F2T08CUCBBK9-37 : BTR	쓸모없는	0000.00.0000	2,000	267 MHz	비 비	2tbit		플래시	256g x 8	평행한	-
MT29F4G16ABAFAH4-aites : f	-	RFQ	9403	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,620		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT48LC64M4A2P-75 : D TR	-	RFQ	7514	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC64M4A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	64m x 4	평행한	15ns
MT29F2T08ELCHL4-QA : C.	41.9550	RFQ	1614	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F2T08ELCHL4-QA : C.			1
MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT	-	RFQ	2185	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	107-tfbga	MT29C2G24	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	107-tfbga	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1	200MHz	비 비, 휘발성	2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	128m x 16 (NAND), 64m x 16 (lpdram)	평행한	-
MT35XU01GBBA1G12-0AUT TR	18.8850	RFQ	5442	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU01	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT35XU01GBBA1G12-0Auttr	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	xccela 버스	-
MT28F800B5SG-8 TET TR	-	RFQ	1319	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
MT55L256L18P1T-7.5	4.2800	RFQ	392	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		SRAM -ZBT	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	4mbit	4.2 ns	SRAM	256k x 18	평행한	-
MT53B512M64D4NK-053 WT ES : C TR	-	RFQ	9017	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	366-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT46V64M8TG-6T IT : D TR	-	RFQ	3362	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT48H8M16LFF4-10	-	RFQ	3615	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	104 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT54V512H18EF-6C	24.2300	RFQ	1	Micron Technology Inc.	QDR ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 동기	2.4V ~ 2.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	적용 적용 수 할	4 (72 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	9mbit	2.5 ns	SRAM	512k x 18	HSTL	-
MT53B128M32D1NP-062 AUT : A TR	-	RFQ	6140	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B128	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	-	-
MT29F128G08CBCBBH6-6R : b	-	RFQ	4490	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
M45PE10-VMN6TP TR	-	RFQ	5594	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M45PE10	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	3ms
MT60B4G4HB-56B : g	23.8200	RFQ	4931	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT60B4G4HB-56B : g			1
EDB1316BDBH-1DAUT-FR TR	-	RFQ	6329	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	134-VFBGA	EDB1316	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	134-VFBGA (10x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	64m x 16	평행한	-
MT29F32G08ABAAAWP-IT : a	-	RFQ	6265	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT28F400B3WG-8 b	-	RFQ	1077	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F400B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	80ns
MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR	6.4700	RFQ	6	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-wpdfn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR	4.7300	RFQ	13	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT41K512M8RH-107 IT : e	-	RFQ	2863	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	512m x 8	평행한	-
MT47H256M4CF-25 : h	-	RFQ	1262	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H256M4	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	256m x 4	평행한	15ns
RC28F640P33BF60A	-	RFQ	1139	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F640	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	300	52MHz	비 비	64mbit	60 ns	플래시	4m x 16	평행한	60ns
MT47H128M4BT-37E : A TR	27.7200	RFQ	745	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	92-TFBGA	MT47H128M4	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	92-FBGA (11x19)	다운로드	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	500 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
M29W256GH70ZA6E	-	RFQ	3205	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-M29W256GH70ZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	816		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
M29DW256G7ANF6F TR	-	RFQ	1189	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29DW256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,200		비 비	256mbit	70 ns	플래시	16m x 16	평행한	70ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²