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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB4064 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
MT42L256M32D2LK-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LK-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L256M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT28F128J3RP-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RP-12 et tr -
RFQ
 ECAD 7122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MT48LC32M8A2TG-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-6A : d -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 12ns
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEHGBJ4-3RES : G TR -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NZ-053 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT46V128M4BN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 9402 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
N25Q016A11ESCA0F TR Micron Technology Inc. n25q016a11esca0f tr -
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 ECAD 6243 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q016A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 8ms, 1ms
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAWP-IT : C TR 7.1000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E4T08CTHBBM5-3ES : B TR -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E4T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
EDY4016AABG-DR-F-R TR Micron Technology Inc. EDY4016AABG-DR-FR TR -
RFQ
 ECAD 5548 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA edy4016 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MTFC8GACAAAM-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GACAAAM-4M IT -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MTFC8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT : e -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT61M256M32JE-12 N:A TR Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 N : A TR -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PAFA-70 WT TR -
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MT46V16M16CY-5B AAT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AAT : M. -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,368 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT42L128M64D2MC-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-18 WT : a -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16gjgdq-ait z tr -
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 ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC16G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F2G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC : e -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAC5-ITZ : a -
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M29F400BB55M6T TR Micron Technology Inc. M29F400BB55M6T TR -
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 ECAD 9198 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
M25P20S-VMN6TPB TR Micron Technology Inc. M25P20S-VMN6TPB TR -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T : f -
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 ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3 : h -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TP-062 XT ES : b -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,120 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MTFC16GJUEF-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gjuef-ait -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
N25Q256A81ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40G -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A81 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC8GACAALT-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAALT-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc8gacaalt-4mittr 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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