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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT45W1MW16PDGA-70 WT TR	-	RFQ	8263	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-VFBGA	MT45W1MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1,000		휘발성 휘발성	16mbit	70 ns	psram	1m x 16	평행한	70ns
MT53D4DANY-DC	-	RFQ	6208	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		-	-	MT53D4	sdram- 모바일 lpddr4		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,190		휘발성 휘발성			음주
MT49H8M36BM-25 IT : B TR	-	RFQ	2540	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H8M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	8m x 36	평행한	-
MT53B384M32D2NP-062 WT : B TR	-	RFQ	5297	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MT49H32M18CSJ-25E : b	-	RFQ	1434	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT29F8T08GULCEM4-QB : C TR	156.3000	RFQ	3487	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QB : CTR			2,000
MT53D512M64D4NW-046 WT ES : D.	-	RFQ	9622	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	432-VFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	432-VFBGA (15x15)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT46V64M8TG-75 IT : d	-	RFQ	3234	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT46V128M4BN-5B : F TR	-	RFQ	1315	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V128M4	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
MT46H64M32LFCX-48 WT : B TR	-	RFQ	7360	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (9x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	208 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	14.4ns
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1	-	RFQ	5879	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	주사위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D	-	RFQ	7044	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는				MT29VZZZBD8				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520
MT48LC8M8A2P-7E : J TR	-	RFQ	7381	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	8m x 8	평행한	14ns
MT53D768M64D8JS-053 WT : D TR	-	RFQ	9349	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	366-VFBGA	MT53D768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	366-VFBGA (12x12.7)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MT47H128M16RT-187E : C TR	-	RFQ	6128	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H128M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (9x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	350 ps	음주	128m x 16	평행한	15ns
mtfc16gjgef-ait z	-	RFQ	7447	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-TFBGA	MTFC16G	플래시 - NAND	1.65V ~ 3.6V	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	MMC	-
MT48H16M32LFCM-75 IT : A TR	-	RFQ	8073	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5.4 ns	음주	16m x 32	평행한	15ns
MT41K64M16TW-107 XIT : J.	-	RFQ	7270	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K64M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,368	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	20 ns	음주	64m x 16	평행한	-
MT62F1G32D2DS-023 WT : b	22.8450	RFQ	7261	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023WT : b			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	-
M29W160EB70ZA6F TR	-	RFQ	1101	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W160	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	16mbit	70 ns	플래시	2m x 8, 1m x 16	평행한	70ns
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T	-	RFQ	3738	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-	MT29TZZZ8	-Nand, DRAM -lpddr3	1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,520	800MHz	비 비, 휘발성	64gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3)		플래시, 램	68G X 8 (NAND), 256M X 32 (LPDDR3)	MMC, LPDRAM	-
N25Q064A13EF640E	-	RFQ	3422	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,940	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT48LC4M32B2P-6A IT : l	-	RFQ	5799	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT28F004B5VG-8 BET	-	RFQ	7280	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F004B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8	평행한	80ns
N25Q032A11EF440E	-	RFQ	3294	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드	N25Q032A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,940	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	8m x 4	SPI	8ms, 5ms
M29W128GH70N6F TR	-	RFQ	3027	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,200		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
MT53B768M32D4NQ-062 WT : b	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53B768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	768m x 32	-	-
MT28F008B5VG-8 b	-	RFQ	8677	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F008B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8	평행한	80ns
MT53B512M32D2NP-062 AAT : C TR	-	RFQ	3809	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT53B512M32D2NP-062AAT : CTR	귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT53B1DBNP-DC	-	RFQ	3599	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,360		휘발성 휘발성			음주

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²