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MT46H128M32L2MC-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 WT : b -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT45W4MW16PFA-85 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-85 WT TR -
RFQ
ECAD 1594 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 85 ns psram 4m x 16 평행한 85ns
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-6 TR -
RFQ
ECAD 6235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
MT29F1T08CUECBH8-12:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUECBH8-12 : c -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT46V64M16P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T : a -
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT40A512M16LY-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E IT : E TR -
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ECAD 8738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-50 : a -
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ECAD 6610 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,260 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8 IT : G TR -
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ECAD 7287 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-6 IT : A TR -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
M58BW16FB4ZA3F TR Micron Technology Inc. M58BW16FB4ZA3F TR -
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ECAD 1016 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80-lbga M58BW16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 80-lbga (10x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 45 ns 플래시 512k x 32 평행한 45ns
MT46V32M8TG-6T IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-6T IT : G TR -
RFQ
ECAD 4165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512MM16JY-075E AIT : B TR -
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ECAD 2681 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT47H128M16RT-25E IT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E IT : C TR 15.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT62F1G32D4DS-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AIT : B TR 29.6100
RFQ
ECAD 1311 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT -
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT44K64M18RCT-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RCT-125 : A TR -
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ECAD 9958 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 12 ns 음주 64m x 18 평행한
MT28F008B3VG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 TET -
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ECAD 9919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8 평행한 90ns
MT48LC32M8A2BB-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-7E : g -
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ECAD 9508 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 14ns
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CPECBH8-12 : C TR -
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ECAD 9364 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 -
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ECAD 4771 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCBBJ4-6 : b -
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,120 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT28F320J3RG-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11을 만났다 -
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ECAD 1256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-IT : D TR -
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
N25Q128A11BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11BF840F TR -
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ECAD 3977 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT58L64L32PT-6 TR Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-6 TR -
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ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500
TE28F640P30T85A Micron Technology Inc. TE28F640P30T85A -
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ECAD 2328 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28f640p30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
M29W800DT70ZM6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZM6E -
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ECAD 8742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
EDF8132A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-FD -
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ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8132 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37 : B TR -
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ECAD 9804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
MT46V32M16FN-5B:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B : f -
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ECAD 1083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고