RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

통합 통합 (ICS) (10403)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H32M16LFBF-6 AT : C.	-	RFQ	5337	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H32M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,782	166 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT28F320J3RG-11 MET	-	RFQ	1183	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F320J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32mbit	110 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	-
MT29F64G08CBHGBJ4-3R : G TR	-	RFQ	9126	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT29F4T08EMLCHD4-QA : C.	83.9100	RFQ	4671	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-QA : C.			1
MT52L512M32D2PF-093 WT ES : B TR	-	RFQ	8324	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L512	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1067 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
RC28F256P33TFA	-	RFQ	8055	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F256	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	864	52MHz	비 비	256mbit	95 ns	플래시	16m x 16	평행한	95ns
MT40A1G8SA-062E AIT : E TR	9.2250	RFQ	3485	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT40A1G8SA-062EAIT : ETR	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit	19 ns	음주	1g x 8	평행한	15ns
MT53D256M64D4KA-046 XT : ES b	-	RFQ	6816	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT48LC2M32B2B5-7 IT : g	-	RFQ	7362	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	2m x 32	평행한	14ns
MT49H8M36SJ-25 : b	-	RFQ	6047	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H8M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	8m x 36	평행한	-
M29F400BT70N6	-	RFQ	1262	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F400	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	70 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	70ns
MT46H8M16LFCF-10 IT TR	-	RFQ	8022	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H8M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.9V	60-VFBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	104 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT46V64M4P-5B : G TR	-	RFQ	2820	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M4	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	64m x 4	평행한	15ns
MT28F004B3VG-8 b	-	RFQ	4524	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F004B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8	평행한	80ns
M29W400DT45N6E	-	RFQ	9604	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	45 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	45ns
RD48F3000P0ZTQ0A	-	RFQ	7758	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	88-TFBGA, CSPBGA	RD48F3000	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	88-SCSP (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
MT46V64M8BN-5B : f	-	RFQ	9066	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT46V32M4TG-6T : D TR	6.4400	RFQ	188	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	700 PS	음주	32m x 4	평행한	15ns
M29W040B90N1	-	RFQ	7014	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W040	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	32-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	156		비 비	4mbit	90 ns	플래시	512k x 8	평행한	90ns
MT53E1G64D4NZ-046 WT : C.	42.4500	RFQ	8812	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	376-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	376-WFBGA (14x14)	다운로드				557-MT53E1G64D4NZ-046WT : c			1	2.133 GHz	휘발성 휘발성	64gbit	3.5 ns	음주	1G X 64	평행한	18ns
MT58L64L32pt-10tr	3.5700	RFQ	84	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500	100MHz	휘발성 휘발성	2mbit	5 ns	SRAM	64k x 32	평행한	-
MT29E1T08CUCCBH8-6 : c	-	RFQ	5047	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29E1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R	-	RFQ	5943	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT29TZZZ5				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,520
M29W400DT70N6E	-	RFQ	2946	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	70 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	70ns
MT53D8DBPM-DC TR	-	RFQ	4287	Micron Technology Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT53d8				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
MT48LC4M32B2P-6 IT : g	-	RFQ	6550	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
M29W400BT55ZA1	-	RFQ	6422	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	180		비 비	4mbit	55 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	55ns
MT46V32M16BN-75 L : C TR	-	RFQ	9813	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MTFC16GLWDM-4M AIT Z	-	RFQ	8679	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC16G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	MMC	-
M25P64S-VMF6P	-	RFQ	8373	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P64	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	SPI	15ms, 5ms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²