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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M25P16-VMN6YPBA Micron Technology Inc. M25P16-VMN6YPBA -
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 280 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABJ3-10RZ : A TR -
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10 : B TR -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46V128M4P-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : F TR -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT48LC32M8A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E : G TR -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 14ns
MT46H32M16LFBF-6 IT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT : c -
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V16M8TG-6T L:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T L : D TR 8.8200
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT48LC2M32B2B5-6A IT:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A IT : J. 6.2468
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT53B256M64D2NL-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT : c -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 960 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10ITZ : c -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT28F400B3WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8WF-062 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT29F2G08AAAWP TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AAAWP TR -
RFQ
 ECAD 2588 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES : A TR -
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT40A2G8JE-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AIT : e 15.6150
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) 다운로드 557-MT40A2G8JE-062EAIT : e 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 현물 현물 지불 15ns
MT47H64M8CB-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E : B TR -
RFQ
 ECAD 1409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MTFC8GLGDQ-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc8glgdq-ait z -
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MT29C8G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-IT : a -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53B1G64D8NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29F1T08GBLCEJ4-M:C Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4-M : C. 19.5450
RFQ
 ECAD 8247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F1T08GBLCEJ4-M : C. 1
MT29F16G08ABCCBH1-10:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10 : C TR -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT46V16M16BG-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-6 : F TR -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CUCBBK9-37 : B TR -
RFQ
 ECAD 1232 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29F2T08CUCBBK9-37 : BTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 267 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT41K256M16HA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 M : E TR -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT46V16M16P-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T IT : F TR -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-aites : f -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT48LC64M4A2P-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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