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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | mt29f4g08abbdah4-aitx : d | - | ![]() | 1414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||||
![]() | MT29F2T08ELCHD4-R : C. | 41.9550 | ![]() | 4192 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08ELCHD4-R : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT40A1G16RC-062E : B TR | - | ![]() | 5815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT40A1G16RC-062E : BTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR | 8.7450 | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25TL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||
![]() | MT29F2T08EMHBFJ4-T : b | - | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F2T08 | 플래시 -Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T : b | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,120 | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | M29W640GB70ZA3E | - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F8T08GULCEM4 : c | 156.3000 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08GULCEM4 : c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46H16M32LFCM-6 L IT : B TR | - | ![]() | 5620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R | - | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 주사위 | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 558 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-023 WT ES : B TR | 61.3800 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES : BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F4G08ABAEAH4-S : E TR | - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
MT48LC8M16A2B4-6A XIT : L TR | - | ![]() | 5120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 12ns | |||
MT48H8M16LFB4-8 : J TR | - | ![]() | 4562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT40A1G4HX-083E : a | - | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A1G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 1g x 4 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT40A256M16LY-062E AIT : F TR | 11.8350 | ![]() | 1693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A256M16LY-062EAIT : FTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
MT29F2G08ABAGAWP-ait : g | 2.5267 | ![]() | 5243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F2G08ABAGAWP-ait : g | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 2gbit | 20 ns | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | 20ns | ||||
![]() | TE48F4400P0VB00A | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 48F4400p0 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 56-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40MHz | 비 비 | 512mbit | 85 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 85ns | ||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AIT : b | 114.9600 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AIT : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT61K512M32KPA-16 : C TR | 19.4100 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 180-TFBGA | sgram -gddr6 | 1.3095V ~ 1.3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-16 : CTR | 2,000 | 8GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | pod_135 | - | ||||||||
![]() | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C4 | 플래시 -nand, dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) | 평행한 | - | |||||
![]() | mt30azzzddb0tpwl-031 W.19r tr | 108.7200 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT30AZZZDDB0TPWL-031W.19RTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC64GAJAEDN-5M AIT | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-LFBGA | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT58V512V36FT-7.5 | 18.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT46H16M32LFCM-6 TR | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MTFC128GASAQJP-AIAT TR | 51.9900 | ![]() | 7683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC128 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MTFC128GASAQJP-AATTR | 2,000 | 200MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | PC28F512M29ewh3 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | PC28F512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
N25Q128A13E1241F TR | - | ![]() | 3917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT29F4T08EMLCHD4-M : C. | 83.9100 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-M : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT ES : e | - | ![]() | 8366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 | - | ![]() | 6031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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