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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT29F1T08CQCCBG2-6R : c | - | ![]() | 1018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 272-LFBGA | MT29F1T08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 272-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AUT : e | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53B256M64D2NV-062 XT : C TR | - | ![]() | 9735 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F4T08EMLCHD4-R : C TR | 83.9100 | ![]() | 7038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-R : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
MT29F2G01ABBGD12-AATES : G TR | 5.3943 | ![]() | 3726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT29F2G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F2G01ABBGD12-AATES : GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - | ||||
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES : D TR | - | ![]() | 8085 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 376-WFBGA | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 IT : c | 25.1400 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT : c | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT46H32M32LFCM-5 IT : A TR | - | ![]() | 6031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53E4D1BEG-DC TR | - | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT53E4 | - | 557-MT53E4D1BEG-DCTR | 쓸모없는 | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | M29W640GH70NB6E | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F8T08EQLCHL5-QA : C. | 167.8050 | ![]() | 4857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
MT53E768M32D4DE-046 WT : e | 25.0400 | ![]() | 1593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E768M32D4DE-046WT : e | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 3.5 ns | 음주 | 768m x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | PF58F0095HVT0B0A | - | ![]() | 9842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,104 | ||||||||||||||||||
![]() | MT62F512M64D4EK-031 AUT : B TR | 37.4700 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F512M64D4EK-031AUT : BTR | 1,500 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT40A2G16TBB-062E : F TR | 52.5000 | ![]() | 6435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A2G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A2G16TBB-062E : FTR | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 13.75 ns | 음주 | 2G X 16 | 평행한 | - | |||
MT48H8M16LFB4-8 IT : J TR | - | ![]() | 9505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | M25PX32-VMP6F TR | - | ![]() | 3444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PX32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | N25Q064A13ESFD0F TR | - | ![]() | 6846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
MT29F4G08ABADAWP-IT : d | 5.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | M45PE10S-VMP6TG TR | - | ![]() | 6971 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M45PE10 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 3ms | ||||
![]() | MT29F512G08EBLGEJ4-ITF : g | 17.6850 | ![]() | 8474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF : g | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E2D1BCY-DC | 22.5000 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT53E2 | - | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E2D1BCY-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
MT53E512M32D2FW-046 AAT : D TR | 19.1100 | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | - | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT : DTR | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | M50FLW080ANB5TG TR | - | ![]() | 3553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) | M50FLW080 | 플래시 - 아니오 | 3V ~ 3.6V | 32-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33MHz | 비 비 | 8mbit | 250 ns | 플래시 | 1m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | MTFC4GACAEAM-1M WT | - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC4 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | MT28GU256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-TBGA (10x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 96 ns | 플래시 | 32m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | MTFC32GASAONS-AAT TR | 23.2950 | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q104 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 153-TFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC32GASAONS-AATTR | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 AAT : E TR | - | ![]() | 5451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E384M32D2DS-046AAT : ETR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | MT62F1536M64D8CL-031 WT : B TR | 71.9300 | ![]() | 1980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT : BTR | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | M45PE80-VMW6G | - | ![]() | 6438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | M45PE80 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8- w | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 80 | 75MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI | 15ms, 3ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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