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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC128GBCAQTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT ES 53.7600
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC128GBCAQTC-AATES 1
MTFC8GAMALHT-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalht-aat 11.1750
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-mtfc8gamalht-aat 8542.32.0071 980 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT53E2G32D4DT-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 AIT : A TR 57.3900
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E2G32D4DT-046AIT : ATR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT53D4DCNZ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCNZ-DC TR -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
N25Q128A11E1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11E1241F TR -
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT49H32M18BM-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-25 : b -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M16D1NK-062 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
MT60B2G8HB-48B IT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-48B IT : A TR 18.2400
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 82-VFBGA sdram -ddr5 - 82-VFBGA (9x11) - 557-MT60B2G8HB-48 비트 : ATR 3,000 2.4GHz 휘발성 휘발성 16gbit 16 ns 음주 2G X 8 현물 현물 지불 -
MT58L64L36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-6 4.2600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L64L36 SRAM 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 3.5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A IT : L TR -
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 WT ES : B TR 102.0600
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8D8D8EK-026WTES : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 - -
MT52L1G32D4PG-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-093 WT : B TR 53.9550
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L1G32 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (12x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT52L1G32D4PG-093WT : BTR 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAUT : b -
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 512m x 32 평행한 18ns
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 557-MT53E2G32D4NQ-046WT : ATR 쓸모없는 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT58L512L18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18DT-7.5 8.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 4 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
MT40A2G8JC-062E:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JC-062E : e -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G8JC-062E : e 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
MT53E1G32D2FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT : a 29.8650
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E1G32D2FW-046AIT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 18ns
MT53B512M16D1Z11MWC1 Micron Technology Inc. MT53B512M16D1Z11MWC1 -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 MT53B512 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
MT52L256M32D1V01MWC2 MS Micron Technology Inc. MT52L256M32D1V01MWC2 MS -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 MT52L256 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-5 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
M58BW32FB4D150 Micron Technology Inc. M58BW32FB4D150 -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - - - M58BW32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 32mbit 45 ns 플래시 4m x 8 평행한 45ns
M29W128GL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT53E1G64D4SP-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SP-046 WT : c 37.2450
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT53E1 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E1G64D4SP-046WT : c 1,360
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AAT : B TR 15.4950
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M3DS-046AAT : BTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT53D4DHSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DHSB-DC -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CQCCBG2-6R : c -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT53D384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT : e -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT : C TR -
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT29F4T08EMLCHD4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-R : C TR 83.9100
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-R : CTR 2,000
MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AATES : G TR 5.3943
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F2G01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F2G01ABBGD12-AATES : GTR 8542.32.0071 2,000 83MHz 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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