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![]() | MT58L64L32PT-6 | 3.5200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT58L64L32 | SRAM | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 3.5 ns | SRAM | 64k x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | MT46V32M16TG-5B : C TR | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | - | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F256G08CKCABH2-12Z : A TR | - | ![]() | 8153 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT28F004B5VG-8 T TR | - | ![]() | 7653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F004B5 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop i | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4mbit | 80 ns | 플래시 | 512k x 8 | 평행한 | 80ns | |||
![]() | MT28F800B5WP-8 T | - | ![]() | 2906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F800B5 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8mbit | 80 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 80ns | |||
![]() | MT29C8G96MAYAPDJA-5 | - | ![]() | 3283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29C8G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 1G X 8 (NAND), 128M X 32 (LPDRAM) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-IT : d | - | ![]() | 4035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | MT29F128G08AKCDBJ5-6 : D TR | - | ![]() | 3630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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