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![]() | M29W256GH70N6E | - | ![]() | 8228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
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![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3R : A TR | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F2T08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3R : ATR | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29AZ5A5CMGWD-18AAT.87C TR | - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT29AZ5 | - | 557-mt29az5a5cmgwd-18aat.87ctr | 쓸모없는 | 2,000 | |||||||||||||||||||
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![]() | MT49H8M36FM-5 TR | - | ![]() | 7379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT41K256MA-107G : e | - | ![]() | 7587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||
MT41J64M16JT-15E IT : g | - | ![]() | 4268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT42L128M32D1GU-18 WT : a | - | ![]() | 6924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-WFBGA | MT42L128M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | - | |||
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![]() | MT47H32M16BN-5E : D TR | - | ![]() | 9777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 600 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F512G08CECBBJ4-37 : B TR | - | ![]() | 4758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
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![]() | N25Q032A13EF440F TR | - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn | N25Q032A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-U-PDFN (4x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | mtfc64gapalna-ait es | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | MTFC64 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||
![]() | mt29f1t08eehbfj4-t : b | - | ![]() | 2777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F1T08 | 플래시 -Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EEHBFJ4-T : b | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,120 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | ||||||
MT48LC8M32LFB5-8 TR | - | ![]() | 7490 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 3V ~ 3.6V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F4G16ABBFAH4-AATES : F TR | - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | N25Q016A11E5140F TR | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-XFBGA, CSPBGA | N25Q016A11 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-XFCSP (2x2.8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 4m x 4 | SPI | 8ms, 1ms | |||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AUT : B TR | 145.4250 | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AUT : BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | PF48F2000P0ZTQ0A | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 88-TFBGA, CSPBGA | 48F2000P0 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 88-SCSP (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 85 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | ||
![]() | MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR | 5.0771 | ![]() | 4564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25QL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||
![]() | MT53B512M64D4NJ-062 WT ES : B TR | - | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 272-WFBGA | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 272-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||
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![]() | MT29F2T08ELCHD4-T : C. | 41.9550 | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08ELCHD4-T : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | PZ28F064M29ewba | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | PZ28F064M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 비 비 | 64mbit | 60 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 60ns | |||
![]() | MT40A1G16TB-062E IT : F TR | 14.9550 | ![]() | 2058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A1G16TB-062EIT : FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | |
MT29F2G01ABAGD12-IT : g | - | ![]() | 6946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT29F2G01 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -MT29F2G01ABAGD12-IT : GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 83MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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