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MT28F004B3VG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 BET -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
M29W256GH70N6E Micron Technology Inc. M29W256GH70N6E -
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ECAD 8228 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AATX : B TR -
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ECAD 5153 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3R : A TR -
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ECAD 4402 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3R : ATR 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29AZ5A5CMGWD-18AAT.87C TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CMGWD-18AAT.87C TR -
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ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29AZ5 - 557-mt29az5a5cmgwd-18aat.87ctr 쓸모없는 2,000
MT53B4DCNQ-DC Micron Technology Inc. MT53B4DCNQ-DC -
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ECAD 8563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 200-VFBGA MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 휘발성 휘발성 음주
MT35XU512ABA1G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0AUT TR -
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ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 xccela 버스 -
MT49H8M36FM-5 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-5 TR -
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ECAD 7379 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT41K256M16HA-107G:E Micron Technology Inc. MT41K256MA-107G : e -
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ECAD 7587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT41J64M16JT-15E IT:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E IT : g -
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ECAD 4268 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT42L128M32D1GU-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-18 WT : a -
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ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT : C. 120.4350
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ECAD 8193 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 556-LFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) 다운로드 557-MT53E2G64D8TN-046AAT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 3.5 ns 음주 2G X 64 평행한 18ns
MT47H32M16BN-5E:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-5E : D TR -
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ECAD 9777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 600 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37 : B TR -
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ECAD 4758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT40A2G4WE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-083E : b -
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ECAD 2478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
N25Q032A13EF440F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF440F TR -
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ECAD 6440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-U-PDFN (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC64GAPALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc64gapalna-ait es -
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ECAD 2506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 MTFC64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 980
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. mt29f1t08eehbfj4-t : b -
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ECAD 2777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 -Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F1T08EEHBFJ4-T : b 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT48LC8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-8 TR -
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ECAD 7490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBFAH4-AATES : F TR -
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ECAD 7576 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
N25Q016A11E5140F TR Micron Technology Inc. N25Q016A11E5140F TR -
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ECAD 8527 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, CSPBGA N25Q016A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-XFCSP (2x2.8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 5,000 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 4m x 4 SPI 8ms, 1ms
MT62F4G32D8DV-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AUT : B TR 145.4250
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ECAD 3493 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AUT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
PF48F2000P0ZTQ0A Micron Technology Inc. PF48F2000P0ZTQ0A -
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ECAD 2685 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA 48F2000P0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR 5.0771
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ECAD 4564 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NJ-062 WT ES : B TR -
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ECAD 5825 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 272-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MTFC64GAPALHT-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GAPALHT-AAT 56.9400
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ECAD 579 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC64 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAPALHT-AAT 귀 99 8542.32.0071 980 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT29F2T08EELCHD4-T:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELCHD4-T : C. 41.9550
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ECAD 3837 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08ELCHD4-T : C. 1
PZ28F064M29EWBA Micron Technology Inc. PZ28F064M29ewba -
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ECAD 1940 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA PZ28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT40A1G16TB-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E IT : F TR 14.9550
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ECAD 2058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G16TB-062EIT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT29F2G01ABAGD12-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT : g -
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ECAD 6946 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT29F2G01ABAGD12-IT : GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 83MHz 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고