SIC
close

통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT40A1G8SA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E : J. -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MT41K128M16JT-125 V:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 V : k -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT ES : C. -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT53E4D1BDE-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BDE-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53E4 - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E4D1BDE-DCTR 2,000
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR : e -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT58L64V36PT-5 Micron Technology Inc. MT58L64V36PT-5 4.3200
RFQ
 ECAD 944 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 2mbit 3.5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
N25Q064A13EW9D0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EW9D0F TR -
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC128GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-IT 52.3700
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MTFC128GBCAQTC-IT 1,520
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AUT : e 50.2500
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E768M32D4DT-046AUT : e 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 AIT : D TR 9.3750
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D512M16D1DS-046AIT : DTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 - -
MTFC16GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gapalht-ait -
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC16 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC16GAPALHT-AIAT 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
PC28F640P33T85A Micron Technology Inc. PC28F640P33T85A -
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C Micron Technology Inc. MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C 32.0400
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 557-MT29VZZZCD91SFSM-046W.18C 1
MT41K1G8RKB-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107 : P TR 24.1650
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K1G8RKB-107 : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MT53E4D1BEG-DC Micron Technology Inc. MT53E4D1BEG-DC -
RFQ
 ECAD 5392 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT53E4 - 557-MT53E4D1BEG-DC 쓸모없는 1,360
MT46V16M16P-5B:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B : m -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29C8G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUCBBM4-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F3T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
M29W128FH70N6E Micron Technology Inc. M29W128FH70N6E -
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-5028 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08CMCABH7-6C:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCABH7-6C : a -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
M25P40-VMW6GB Micron Technology Inc. M25P40-VMW6GB -
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT49H16M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25E : B TR 47.8500
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QB : E TR 52.9800
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB : ETR 2,000
MT42L256M64D4LD-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-25 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 220-VFBGA MT42L256M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT42L128M64D2MC-3 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-3 WT : a -
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1 333 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT28F128J3RP-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RP-12를 만났다 -
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 WT TR -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W8MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 70ns
MT29F256G08CKCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10Z : a -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M29W320EB70N6 Micron Technology Inc. M29W320EB70N6 -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
N25Q032A13E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13E1240F TR -
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다