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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
NP8P128A13BSM60E Micron Technology Inc. NP8P128A13BSM60E -
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 Micron Technology Inc. OMNEO ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NP8P128A PCM (PRAM) 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B 8542.32.0051 576 비 비 128mbit 115 ns PCM (PRAM) 16m x 8 평행, SPI 115ns
JS28F512P33EF0 Micron Technology Inc. JS28F512P3333EF0 -
RFQ
 ECAD 7439 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 40MHz 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 105ns
JS28F640P30TF75A Micron Technology Inc. JS28F640P30TF75A -
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F640P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 64mbit 75 ns 플래시 4m x 16 평행한 75ns
MT58L64L32DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-10 4.8600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 2mbit 5 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT ES : C TR 42.4500
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 376-WFBGA (14x14) - 557-MT53E1G64D4NZ-046WTES : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 1G X 64 평행한 18ns
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT ES : C. 127.0200
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 ECAD 8433 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WTES : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT25QU256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8ESF-0AAT -
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QU256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46H64M32LFCX-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 WT : b -
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 ECAD 6267 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3T : a -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F32G08AFACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-IT : c -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G Micron Technology Inc. MT29VZZZBC9FQOP-053 W ES.G9G -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT29VZZZBC9 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,140
MT41K2G4RKB-107:P Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 : p 24.1650
RFQ
 ECAD 9447 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 2G X 4 평행한 15ns
MT40A512M8RH-062E:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-062E : b -
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-107 AT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AT : P TR -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT41K256M16TW-107AT : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT47R64M16HR-3:H Micron Technology Inc. MT47R64M16HR-3 : h -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47R64M16 sdram -ddr2 1.55V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT41K512M8RH-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 : E TR -
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F2T08GELCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QJ : C TR 39.0600
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ : CTR 2,000
EDFA232A2PD-GD-F-R Micron Technology Inc. EDFA232A2PD-GD-FR -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA232 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AAT : L. -
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0002 1,650 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 12ns
MT48LC8M16A2P-7E AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E AIT : L. -
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 ECAD 8780 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT29F2G16ABDHC-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABDHC-ET : D TR -
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT48H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6 IT : h -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT29F1T08EELEEJ4-T:E Micron Technology Inc. MT29F1T08ELEEJ4-T : e 21.4500
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 132-VBGA 플래시 -Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F1T08ELEEJ4-T : e 1 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
M29F080D70N6 Micron Technology Inc. M29F080D70N6 -
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F080 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8 평행한 70ns
MT53E2G32D4DE-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT : A TR 57.3900
RFQ
 ECAD 6801 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E2G32D4DE-046AIT : ATR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 2G X 32 평행한 18ns
MT29F16G08ABACAM72A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAM72A3WC1 -
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT53D4DBNW-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DBNW-DC TR 70.3950
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53D4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D4DBNW-DCTR 0000.00.0000 1,000
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12Z : C TR -
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X TR 40.8150
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17XTR 2,000
MT52L4DBPG-DC Micron Technology Inc. MT52L4DBPG-DC -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT52L4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,890
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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