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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J TR	9.9000	RFQ	5247	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT29GZ5				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87JTR		0000.00.0000	2,000
MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR	39.4950	RFQ	6013	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU02	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT25QU02GCBB8E12-0Auttr	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	SPI	1.8ms
MTFC64GAJAEDQ-AAT TR	-	RFQ	2295	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC64	플래시 - NAND	-	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	MMC	-
MT53E768M64D4HJ-046 WT : a	-	RFQ	2881	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT : a	쓸모없는		1
M29F800FB5AN6F2 TR	-	RFQ	5372	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F800	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		비 비	8mbit	55 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	55ns
M25P16S-VMN6P	-	RFQ	2578	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,000	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT53B256M64D2NL-062 XT : b	-	RFQ	3104	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	960	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT29F4T08EMLCHD4-R : C.	83.9100	RFQ	9469	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-R : C.			1
MT29F64G08CBABAWP-M : B TR	-	RFQ	9874	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT53D2048M32D8QD-062 WT : d	-	RFQ	4794	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D2048	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L	119.5650	RFQ	3639	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	254-BGA		플래시 -nand, dram -lpddr4x	-	254-TFBGA	-				557-MT29VZZZCDAFQKWL-046W.G0L			1	2.133 GHz	비 비, 휘발성	2TBIT (NAND), 64GBIT (LPDDR4X)		플래시, 램	256G X 8 (NAND), 2G X 32 (LPDDR4X)	UFS2.1	-
MT47H64M16HW-3 IT : h	-	RFQ	7517	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT47H128M16RT-187E : c	-	RFQ	5936	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H128M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (9x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	350 ps	음주	128m x 16	평행한	15ns
MT53E512M32D1ZW-046 AUT : b	20.3700	RFQ	7058	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	-				557-MT53E512M32D1ZW-046AUT : b			1	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit	3.5 ns	음주	512m x 32	평행한	18ns
MT62F4G32D8DV-023 WT ES : B TR	90.4650	RFQ	2717	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WTES : BTR			2,000	4.266 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
MT29F8T08GULCEM4-M : C.	156.3000	RFQ	1311	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F8T08GULCEM4-M : C.			1
MT52L512M64D4PQ-093 WT : b	-	RFQ	4921	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	253-VFBGA	MT52L512	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	253-VFBGA (11x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,890	1067 MHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
M50FLW040AN5G	-	RFQ	9621	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FLW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	120	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT41K1G8SN-125 IT : A TR	-	RFQ	3370	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x13.2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.75 ns	음주	1g x 8	평행한	-
MTFC16GJDDQ-4M IT	-	RFQ	9831	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC16G	플래시 - NAND	1.65V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	MMC	-
MT62F768M64D4EJ-031 AAT : A TR	102.7800	RFQ	7008	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT62F768				-			영향을받지 영향을받지	557-MT62F768M64D4EJ-031AAT : ATR			1,500
MT42L128M64D2LL-25 WT : A TR	-	RFQ	8891	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	MT42L128M64	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	216-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT	-	RFQ	6382	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	130-VFBGA	MT29C1G12	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	130-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비, 휘발성	1gbit (nand), 1gbit (lpdram)		플래시, 램	128m x 8 (NAND), 32m x 32 (lpdram)	평행한	-
MT49H16M36FM-18 : b	-	RFQ	7649	Micron Technology Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT48LC64M4A2P-6A : G TR	-	RFQ	2247	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC64M4A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	64m x 4	평행한	12ns
N25Q128A13E1240F TR	-	RFQ	1611	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT53E1G32D4NQ-053 RS WT : J.	33.6150	RFQ	7458	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT53E1G32D4NQ-053RSWT : J.			1
MT29F16G08AJADAWP-IT : d	-	RFQ	6518	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
NP8P128A13BSM60E	-	RFQ	6511	Micron Technology Inc.	OMNEO ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NP8P128A	PCM (PRAM)	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B	8542.32.0051	576		비 비	128mbit	115 ns	PCM (PRAM)	16m x 8	평행, SPI	115ns
JS28F512P3333EF0	-	RFQ	7439	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F512P33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	96	40MHz	비 비	512mbit	105 ns	플래시	32m x 16	평행한	105ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²