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![]() | MT29F1G08ABBEAH4-IT : E TR | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | MT53D4DCNZ-DC TR | - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | MT53D4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
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![]() | MT53E256M32D2DS-046 AAT : B TR | 15.4950 | ![]() | 5964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E256M3DS-046AAT : BTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||
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![]() | MT29F64G08AJABAWP-IT : B TR | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | 557-MT29F64G08AJABAWP-IT : BTR | 쓸모없는 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 16 ns | 플래시 | 8g x 8 | onfi | 20ns | |||||||
![]() | RC28F128M29EWLA | - | ![]() | 1978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | RC28F128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -rc28f128m29ewla | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 비 비 | 128mbit | 60 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 60ns | ||
![]() | MT53E1G32D2NP-053 RS WT : b | 18.6300 | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT : b | 1,360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AUT : b | 36.7350 | ![]() | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 AAT : e | - | ![]() | 4428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | |||||
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![]() | MT53E128M32D2DS-053 IT : a | 10.4200 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E128M32D2DS-053IT : a | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29F1G08ABAEAH4 : e | - | ![]() | 9118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | - | ||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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