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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT40A2G16SKL-062E:B Micron Technology Inc. MT40A2G16SKL-062E : b -
RFQ
 ECAD 1953 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A2G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G16SKL-062E : b 쓸모없는 8542.32.0071 190 1.6GHz 비 비 32gbit 13.75 ns 음주 2G X 16 평행한 -
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 AIT : a -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E128M16D1DS-046AIT : a 쓸모없는 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 - -
PC48F4400P0VB00B TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB00B TR -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
MT40A8G4BAF-062E:B Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E : b -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E : b 쓸모없는 8542.32.0071 168 1.6GHz 비 비 32gbit 13.75 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 27.4375
RFQ
 ECAD 8446 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 - 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 1,520
MTFC32GASAONS-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AAT 23.2950
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AAT 1 52MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 UFS2.1 -
MT41K128M16JT-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT : k 7.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K128M16JT-107AAT : k 귀 99 8542.32.0036 1,224 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT58L128L36P1T-4.4 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1T-4.4 4.5900
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L128L36 SRAM 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 225 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 2.6 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
MT62F4G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 AIT : B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AAT : a -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E1G64D4SQ-046AAT : a 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT : B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-026WT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT46V64M8P-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B IT : J. -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT58L128L32F1F-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1F-10 5.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT58L128L32 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 66MHz 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 FAAT : a -
RFQ
 ECAD 1618 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA MT42L16M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
MT48LC16M16A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT : g -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AIT : B TR 14.0850
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M32D2FW-046AIT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 평행한 18ns
MT62F4G32D8DV-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT ES : b 90.4650
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WTES : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT57W2MH8CF-5 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-5 28.3700
RFQ
 ECAD 518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 450 ps SRAM 2m x 8 HSTL -
MTFC64GAXAUEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAXAUEA-WT 7.5024
RFQ
 ECAD 3517 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GAXAUEA-WT 1 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.2 -
MT49H64M9FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E : b -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H64M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 64m x 9 평행한 -
MT53D512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLGEM5-ITF : g 304.1700
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF : g 1
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QJ : e 52.9800
RFQ
 ECAD 8773 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ : e 1
MT46H64M32LFCM-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCM-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT62F512M128D8TE-031 XT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT : B TR 68.0400
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F512M128D8TE-031XT : BTR 2,000
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abadawp-aitx : d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MTFC64GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. MTFC64GASAONS-IT TR 34.2750
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-ITTR 2,000 52MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.1 -
MT61K512M32KPA-24:U TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-24 : u tr 33.4650
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA sgram -gddr6 1.3095V ~ 1.3905V 180-FBGA (12x14) - 557-MT61K512M32KPA-24 : UTR 2,000 12GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 pod_135 -
MT53D1024M32D4DT-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT46H32M32LFMA-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-6 IT : b -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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