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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT62F768M64D4EK-023 WT ES : B TR	61.3800	RFQ	9221	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT62F768				-				557-MT62F768M64D4EK-023WTES : BTR			1,500
M29W128GSH70ZA6F TR	-	RFQ	2237	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
MTC20F2085S1RC56BG1	334.4700	RFQ	9558	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MTC20F2085S1RC56BG1			1
MT48LC4M32B2B5-6A AIT : L TR	-	RFQ	5481	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT40A1G16KNR-062E : e	21.7650	RFQ	3041	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,080	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	1g x 16	평행한	15ns
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT	13.1400	RFQ	1696	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QU01	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-wpdfn (6x8) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-791-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT	3A991B1A	8542.32.0071	1,920	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT48H8M16LFB4-8 : J TR	-	RFQ	4562	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT40A1G4HX-083E : a	-	RFQ	5901	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	1g x 4	평행한	-
MT29F1G08ABCHC : c	-	RFQ	8725	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
NAND256W3A0BN6E	-	RFQ	4685	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NAND256	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256mbit	50 ns	플래시	32m x 8	평행한	50ns
MT29F256G08AUAAAC5-Z : A TR	-	RFQ	6873	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-VLGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	52-VLGA (18x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT25TU512HBA8E12-0SIT TR	-	RFQ	4853	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500
MT62F1G64D4EK-023 AUT : C TR	109.1100	RFQ	3897	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT62F1G64D4EK-023AUT : CTR			2,000
MT62F4G32D8DV-023 AAT : B TR	126.4350	RFQ	8808	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023AAT : BTR			2,000	4.266 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
M58WR032KL70ZA6E	-	RFQ	9620	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-VFBGA	M58WR032	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	44-VFBGA (7.5x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,100	66MHz	비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
M28W320HCB70D11	-	RFQ	9445	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
M29W512GH70N3E	-	RFQ	7624	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	576		비 비	512mbit	70 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	70ns
MTFC64GASAONS-AIT ES	-	RFQ	4536	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC64	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-TFBGA (11.5x13)	-				557-MTFC64GASAONS-IASS	쓸모없는		1,520	52MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	MMC	-
MT57V512H36EF-5	17.3600	RFQ	269	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 동기	2.4V ~ 2.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1	200MHz	휘발성 휘발성	18mbit	2.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
MTFC32GAZAOTD-AAT	27.3450	RFQ	6598	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MTFC32GAZAOTD-AAT			1
MT29F64G08CFACAWP-Z : C TR	-	RFQ	4073	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT4A512M16LY-75 : e	-	RFQ	9827	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인				MT4A512				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,020
MT48LC2M32B2P-6A IT : J TR	-	RFQ	9262	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	2m x 32	평행한	12ns
MT29F4G16ABAFAWP- 사이트 : f	-	RFQ	1679	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	960		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
M25P16-VMF3PB	-	RFQ	7505	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	1,225	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M	-	RFQ	1089	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	주사위	-					3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT53E1536M32D4DT-046 WT : A TR	-	RFQ	8751	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1536	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53E1536M32D4DT-046WT : ATR	쓸모없는	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	1.5GX 32	-	-
M25PX80-VMP6TG TR	-	RFQ	7683	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25PX80	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-VFQFPN (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
M29W128GSL70N6E	-	RFQ	1902	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
NP5Q032AE3ESFC0E	-	RFQ	7337	Micron Technology Inc.	OMNEO ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	NP5Q032	PCM (PRAM)	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	240	66MHz	비 비	32mbit		PCM (PRAM)	4m x 8	SPI	280µs

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²