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![]() | MT53E384M32D2DS-046 AAT : E TR | - | ![]() | 5451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E384M32D2DS-046AAT : ETR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
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![]() | mt29f4g08abadah4 : d tr | 5.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT53D1G32D4NQ-062 WT : d | - | ![]() | 7499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | |||||||||
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![]() | mt29f8g08adadah4-e : d tr | - | ![]() | 3375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||||
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![]() | MTFC64GAJAEDQ-AAT TR | - | ![]() | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | |||||
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