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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT:B TR 63.8550
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ECAD 9218 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C 표면 실장 200-WFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AAT:BTR 2,000 3.2GHz 항체를 제거하세요 64Gbit 식사 2G x 32 불편한 -
EDFM432A1PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PF-JD-FD -
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ECAD 6980 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -30°C ~ 85°C(타) 표면 실장 - EDFM432 SDRAM - 모바일 LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA(12x12) - ROHS3 준수 3(168시간) 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1,680 933MHz 항체를 제거하세요 12Gbit 식사 384M x 32 불편한 -
MTFC8GLXEA-WT Micron Technology Inc. MTFC8GLXEA-WT -
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ECAD 7452 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 e•MMC™ 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -25°C ~ 85°C(타) 표면 실장 153-WFBGA MTFC8 플래시 - 낸드 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - ROHS3 준수 3(168시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비껴가 64Gbit 플래시 8G x 8 MMC -
MT54W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W512H36BF-7.5 23.6300
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ECAD 170 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 QDR® 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA SRAM - 동기식 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 500ps 스램 512K x 36 HSTL -
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 -
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ECAD 3687 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 분수 MT29F1G08 플래시 - 낸드 1.7V ~ 1.95V 분수 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 비껴가 1Gbit 플래시 128M x 8 불편한 -
MT62F4G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 WT:B 90.4650
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ECAD 8776 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 상자 활동적인 -25°C ~ 85°C - - SDRAM - 모바일 LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026WT:B 1 3.2GHz 항체를 제거하세요 128Gbit 식사 4G x 32 불편한 -
MT29F512G08CKCABH7-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-10:A -
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ECAD 9323 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 3(168시간) 557-MT29F512G08CKCABH7-10:A 더 이상 사용하지 않는 경우 980
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES -
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ECAD 9497 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 분수 MT29F256G08 플래시 - 낸드(TLC) 2.5V ~ 3.6V 분수 - ROHS3 준수 3(168시간) 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 333MHz 비껴가 256Gbit 플래시 32G x 8 불편한 -
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR -
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ECAD 5923 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -25°C ~ 85°C(타) 표면 실장 137-VFBGA MT29C4G48 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA(13x10.5) - ROHS3 준수 3(168시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비껴가다 4Gbit(NAND), 2Gbit(LPDRAM) 플래시, 램 256M x 16(낸드), 128M x 16(LPDRAM) 불편한 -
JS28F00AM29EWHE Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHE -
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ECAD 3161 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비껴가 1Gbit 110ns 플래시 128Mx8, 64Mx16 불편한 110ns
M58LT128HST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128HST8ZA6F TR -
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ECAD 8221 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 80-LBGA M58LT128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 80-LBGA(10x12) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비껴가 128Mbit 85ns 플래시 8M×16 불편한 85ns
MT46V64M8BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 IT:F TR -
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ECAD 9394 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA(10x12.5) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,000 167MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 식사 64M x 8 불편한 15ns
MT46V32M16BN-75 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 IT:C -
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ECAD 4018 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA(10x12.5) - ROHS3 준수 5(48시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,000 133MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 750ps 식사 32M x 16 불편한 15ns
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR 8.4150
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ECAD 1181 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) MT29F8G08 플래시 - 낸드(SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. MT29F8G08ADAFAWP-AIT:FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비껴가 8Gbit 플래시 1G x 8 불편한 -
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT:H TR -
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ECAD 8765 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 1,000 333MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 450ps 식사 64M x 16 불편한 15ns
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M -
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ECAD 3431 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 분수 MT29F64G08 플래시 - 낸드(MLC) 2.7V ~ 3.6V 분수 - ROHS3 준수 공급자가 규정하지 않는 경우 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 비껴가 64Gbit 플래시 8G x 8 불편한 -
MT40A512M8SA-062E AIT:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AIT:F 14.0850
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ECAD 5201 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA(7.5x11) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. MT40A512M8SA-062EAIT:F EAR99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 항체를 제거하세요 4Gbit 19ns 식사 512M x 8 불편한 15ns
MT28FW01GABA1HPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW01GABA1HPC-0AAT -
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ECAD 4747 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 64-LBGA MT28FW01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-LBGA(11x13) - REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비껴가 1Gbit 105ns 플래시 64M x 16 불편한 60ns
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 3.5200
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ECAD 5166 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 분수 MT29F4G08 플래시 - 낸드(SLC) 1.7V ~ 1.95V 분수 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 8542.32.0071 1 비껴가 4Gbit 플래시 512M x 8 불편한 -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C TR 64.0350
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ECAD 3574 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 556-TFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA(12.4x12.4) - ROHS3 준수 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:CTR 2,000 2.133GHz 항체를 제거하세요 48Gbit 3.5ns 식사 768Mx64 불편한 18ns
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 18.3750
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ECAD 8592 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 149-VFBGA 플래시 - NAND(SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA(8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 1 비껴가다 8Gbit 25ns 플래시, 램 1G x 8 온피 30ns
MTFC32GASAQHD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAQHD-AIT TR 17.4000
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ECAD 2096 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - 낸드 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 557-MTFC32GASAQHD-AITTR 2,000 200MHz 비껴가 256Gbit 플래시 32G x 8 eMMC -
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT:B -
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ECAD 1302 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -30°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - 모바일 LPDDR4 1.1V 200-WFBGA(11x14.5) - ROHS3 준수 3(168시간) 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 1.6GHz 항체를 제거하세요 8Gbit 식사 256M x 32 - -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR -
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ECAD 5019 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -30°C ~ 85°C(TC) MT53D2G32 SDRAM - 모바일 LPDDR4 1.1V - 1(무제한) 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 2,000 2.133GHz 항체를 제거하세요 64Gbit 식사 2G x 32 - -
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B -
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ECAD 5211 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 132-VBGA MT29F1HT08 플래시 - 낸드 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA(12x18) - REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333MHz 비껴가 1.5Tbit 플래시 192G x 8 불편한 -
M29F040B70K6 Micron Technology Inc. M29F040B70K6 -
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ECAD 4341 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-LCC(J-리드) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC(11.35x13.89) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 32 비껴가 4Mbit 70ns 플래시 512K x 8 불편한 70ns
MT58L128L36P1F-5 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1F-5 7.7500
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ECAD 416 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 싱크버스트™ 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA MT58L128L36 스램 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA(13x15) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 항체를 제거하세요 4Mbit 2.8ns 스램 128K x 36 불편한 -
MT25QU512ABB8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8ESF-0SIT -
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ECAD 3017 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SO 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133MHz 비껴가 512Mbit 플래시 64M x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25PX32-VMF6E Micron Technology Inc. M25PX32-VMF6E -
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ECAD 2423 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비껴가 32Mbit 플래시 4M x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR 20.2200
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ECAD 2110 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 149-VFBGA 플래시 - NAND(SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA(8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR 2,000 비껴가다 8Gbit 25ns 플래시, 램 1G x 8 온피 30ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고