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JS28F512M29EWHB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29ewhb tr -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 110ns
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT : H TR 4.3402
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT47H32M16NF-25EAAT : HTR 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53E4D1BEG-DC Micron Technology Inc. MT53E4D1BEG-DC -
RFQ
ECAD 5392 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT53E4 - 557-MT53E4D1BEG-DC 쓸모없는 1,360
MT46V16M16P-5B:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B : m -
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ECAD 7131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT TR -
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29C8G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUCBBM4-37ES : B TR -
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ECAD 1204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F3T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
M29W128FH70N6E Micron Technology Inc. M29W128FH70N6E -
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ECAD 5738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-5028 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT41J128M16HA-107G:D Micron Technology Inc. MT41J128MA-107G : d -
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ECAD 3375 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
PC48F4400P0VB0EA Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EA -
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ECAD 4880 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT41J64M16JT-125:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-125 : G TR -
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ECAD 2661 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT29F64G08AECABH1-10IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10IT : A TR -
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ECAD 3910 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AIT : J. -
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ECAD 1239 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MTFC8GLVEA-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-4M IT -
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ECAD 4841 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29F2T08EMLCEJ4-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-R : C. -
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R : c 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF : a 70.9650
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ECAD 9573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF : a 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT41K256M16HA-107:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-107 : e -
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ECAD 1322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT45W4MW16BFB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 WT TR -
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ECAD 3024 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-ait : F TR 3.4998
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ECAD 2841 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F4G08ABBFAH4-ait : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT25TL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GBB8E12-0AAT -
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ECAD 9007 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT62F768M64D4EJ-031 WT ES:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT ES : a 62.8950
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ECAD 8114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT62F768 - 영향을받지 영향을받지 557-MT62F768M64D4EJ-031WTES : a 1,190
MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABCBBH1-12IT : b -
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ECAD 3472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
PC28F064M29EWTY TR Micron Technology Inc. PC28F064M29ewty tr -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc. MT29E3T08EQHBBG2-3 : b -
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ECAD 6365 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29E3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT : D TR -
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ECAD 2388 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT40A512M16JY-075E:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E : b -
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ECAD 5208 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT41K512M8RH-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M : E TR -
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ECAD 2383 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AAT : e -
RFQ
ECAD 1454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 200-TFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 영향을받지 영향을받지 557-MT53E384M32D2FW-046AAT : e 쓸모없는 1 1.066 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 3.5 ns 음주 384m x 32 평행한 18ns
MT29F1T08CUEABH8-12:A Micron Technology Inc. MT29F1T08CUEABH8-12 : a -
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ECAD 7552 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AIT : G TR -
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ECAD 8438 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT47H64M8B6-5E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-5E IT : D TR -
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ECAD 5381 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 600 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고