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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC16GAPALNA-EAT ES TR	-	RFQ	6472	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC16					-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT55L64L32F1T-12	5.7500	RFQ	582	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		SRAM -ZBT		3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	83MHz	휘발성 휘발성	2mbit	9 ns	SRAM	64k x 32	평행한	-
MT48LC4M32B2P-7 IT : g	-	RFQ	2538	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram		3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	14ns
M29W320DB70ZA6	-	RFQ	1403	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-TFBGA	M29W320	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	63-TFBGA (7x11)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,020		비 비	32mbit	70 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	70ns
N25Q128A13ESEDFG	-	RFQ	9726	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q128A13	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	도 8-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,800	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
mtfc8glvea-1f wt tr	-	RFQ	4410	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC8	플래시 - NAND		2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J	9.9000	RFQ	6525	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인				MT29GZ5					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,260
EDB4064B4PB-1DIT-FD TR	-	RFQ	9726	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	EDB4064	sdram- 모바일 lpddr2		1.14V ~ 1.95V	216-WFBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		EDB4064B4PB-1DIT-F-DTR	귀 99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	64m x 64	평행한	-
RC28F128J3F75G	-	RFQ	8189	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	864		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
MT54V512H36EF-5	19.3000	RFQ	22	Micron Technology Inc.	QDR ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 동기		2.4V ~ 2.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	200MHz	휘발성 휘발성	18mbit	2.2 ns	SRAM	512k x 36	HSTL	-
EDFB164A1MA-JD-FD	-	RFQ	7879	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)			EDFB164	sdram- 모바일 lpddr3		1.14V ~ 1.95V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520	933 MHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	평행한	-
MT61M512M32KPA-14 N : C.	42.1050	RFQ	8256	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인									-				557-MT61M512M32KPA-14N : c			1
MT46V32M16P-5B IT : J.	-	RFQ	8647	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr		2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,080	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
M29F040B90N1T TR	-	RFQ	8227	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F040	플래시 - 아니오		4.5V ~ 5.5V	32-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		비 비	4mbit	90 ns	플래시	512k x 8	평행한	90ns
MT46V16M16BG-6 : f	-	RFQ	7731	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT46V16M16	sdram -ddr		2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (8x14)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT29F4G08ABAEAWP : e	-	RFQ	2915	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 - NAND		2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4	-	RFQ	1071	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는									-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
M25PE80-VMP6TG TR	-	RFQ	5781	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25PE80	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 3ms
MT29E512G08CUCDBJ6-6 : d	-	RFQ	7314	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29E512G08	플래시 - NAND		2.7V ~ 3.6V	132-LBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,120	167 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT52L4DAGN-DC TR	-	RFQ	4967	Micron Technology Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT52L4		확인되지 확인되지			-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
MT46V32M16BN-6 : c	-	RFQ	1157	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr		2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
EDF8164A3PK-JD-FR TR	-	RFQ	3705	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	EDF8164	sdram- 모바일 lpddr3		1.14V ~ 1.95V	216-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
MT48H16M32L2F5-10	-	RFQ	3897	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr		1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT29F512G08CMCABH7-6 : A TR	-	RFQ	3280	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-TBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)		2.7V ~ 3.6V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
M29W160ET90ZA6T TR	-	RFQ	3156	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W160	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	16mbit	90 ns	플래시	2m x 8, 1m x 16	평행한	90ns
M25PX16-V6D11	-	RFQ	7239	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M25PX16	플래시 - 아니오		2.3V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES : B TR	-	RFQ	1589	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29E768G08	플래시 - NAND		2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	768gbit		플래시	96g x 8	평행한	-
MT41K64M16JT-125 : g	-	RFQ	7092	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K64M16	sdram -ddr3l		1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	1gbit	13.75 ns	음주	64m x 16	평행한	-
MT46V32M16P-5B AIT : J.	-	RFQ	1750	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr		2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,080	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F128G08CBEABH6-12M : A TR	-	RFQ	9078	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND		2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²