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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT : D TR -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT48LC32M16A2P-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32MM16A2P-75 L : C TR -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT61M512M32KPA-14 NIT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 NIT : c 46.3200
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT61M512M32KPA-14NIT : c 1
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ite : d -
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT47H64M16HR-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L : G TR -
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 ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT41K1G4DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G4DA-107 : P TR -
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 ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K1G4DA-107 : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 1g x 4 평행한 -
MTFC32GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAENA-4M IT TR -
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 ECAD 6331 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC32G 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT ES : C. -
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 ECAD 8683 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 960 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6 : d -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT28F128J3BS-12 ET Micron Technology Inc. MT28F128J3BS-12 ET -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MT25QL256ABA8E12-1SAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SAT TR -
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC16GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALNA-EAT ES TR -
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 ECAD 6472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MTFC16 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT55L64L32F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12 5.7500
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 83MHz 휘발성 휘발성 2mbit 9 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
MT48LC4M32B2P-7 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-7 IT : g -
RFQ
 ECAD 2538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 14ns
M29W320DB70ZA6 Micron Technology Inc. M29W320DB70ZA6 -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 63-TFBGA (7x11) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,020 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
N25Q128A13ESEDFG Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEDFG -
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 ECAD 9726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC8GLVEA-1F WT TR Micron Technology Inc. mtfc8glvea-1f wt tr -
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J 9.9000
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 ECAD 6525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT29GZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,260
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD TR -
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 ECAD 9726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB4064 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) EDB4064B4PB-1DIT-F-DTR 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
RC28F128J3F75G Micron Technology Inc. RC28F128J3F75G -
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 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT54V512H36EF-5 Micron Technology Inc. MT54V512H36EF-5 19.3000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 동기 2.4V ~ 2.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.2 ns SRAM 512k x 36 HSTL -
EDFB164A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) EDFB164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT61M512M32KPA-14 N:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 N : C. 42.1050
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT61M512M32KPA-14N : c 1
MT46V32M16P-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT : J. -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29F040B90N1T TR Micron Technology Inc. M29F040B90N1T TR -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8 평행한 90ns
MT46V16M16BG-6:F Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-6 : f -
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F4G08ABAEAWP:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP : e -
RFQ
 ECAD 2915 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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