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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT49H32M9BM-33 : B TR	-	RFQ	7474	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M9	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	300MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	32m x 9	평행한	-
mtfc32gazaqdw-aat	19.0800	RFQ	2752	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFC32GAZAQDW-AAT			980
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT : D TR	-	RFQ	4746	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000	83MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
M29W400DT55N6F TR	-	RFQ	8566	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W400	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		비 비	4mbit	55 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	55ns
MT46V64M8FN-6 : F TR	-	RFQ	9943	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT29F256G08CJAAAWP-IT : a	-	RFQ	8567	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
M50FLW040BK5G	-	RFQ	2742	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M50FLW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT47H128M8HQ-3 L : G TR	-	RFQ	4794	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	128m x 8	평행한	15ns
MT48LC8M16A2B4-6A AIT : L.	-	RFQ	5604	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,560	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	12ns
MT53B768M64D8BV-062 WT ES : B TR	-	RFQ	2317	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MT35XU512ABA2G12-0AAT	11.5200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	200MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	xccela 버스	-
MT29F256G08AUCABH3-10Z : A TR	-	RFQ	9462	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MT29F256G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MTFC256GAVATTC-AAT TR	90.4350	RFQ	3154	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MTFC256GAVATTC-AATTR			2,000
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES : B TR	-	RFQ	4397	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (11x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
MT48H4M16LFB4-10	-	RFQ	7031	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	104 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	7 ns	음주	4m x 16	평행한	15ns
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT TR	-	RFQ	9974	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT25QL01GBBB8ESFE01-2SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
M25PX32-VMF6F TR	-	RFQ	9457	Micron Technology Inc.	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25PX32	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	75MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT53D4DARN-DC	-	RFQ	4513	Micron Technology Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,008
M29W256GL7AZS6F TR	-	RFQ	9191	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
MT29F1G08ABBDAHC-IT : d	-	RFQ	3189	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT28F320J3BS-11 GMET TR	-	RFQ	5410	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F320J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32mbit	110 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	-
mtfc32gapalna-ait es	-	RFQ	4188	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MTFC32G	플래시 - NAND	-	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MT53E1G64D4HJ-046 AIT : A TR	57.3900	RFQ	7772	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT53E1G64D4HJ-046AIT : ATR			2,000
MT52L256M32D1PF-107 WT : b	15.1400	RFQ	976	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L256	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,890	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
MT48LC2M32B2TG-55 : g	-	RFQ	8420	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	183 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5 ns	음주	2m x 32	평행한	-
MT42L128M32D1LF-18 WT : A TR	-	RFQ	9284	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	168-WFBGA	MT42L128M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	168-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT28F800B5WG-8 TET TR	-	RFQ	4720	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
MT46V64M8FN-75 L : D TR	-	RFQ	7064	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
EDFA164A2PK-JD-FR TR	-	RFQ	2167	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	-	EDFA164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	216-WFBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	평행한	-
MT45W4MW16PCGA-70 IT	-	RFQ	1829	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-VFBGA	MT45W4MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1,000		휘발성 휘발성	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	평행한	70ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²