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MT29F64G08CECCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12Z : c -
RFQ
ECAD 5171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT42L384M32D3LP-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L384M32D3LP-18 WT : a -
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT42L384M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 평행한 -
MTFC8GLUDM-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait -
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT48H4M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 TR -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
M29W640GB70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
PC48F4400P0TB00D Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB00D -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc. ECF840AACN-C1-Y3 -
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ECAD 2530 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 ECF840A sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACJG-5 WT -
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ECAD 9524 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
PC48F4400P0VB0EF TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EF TR -
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ECAD 7095 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
M29F040B70N1T TR Micron Technology Inc. M29F040B70N1T TR -
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ECAD 5593 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8 평행한 70ns
MTFC64GAJAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAEDQ-AAT -
RFQ
ECAD 6783 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC64 플래시 - NAND - 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT40A2G8NRE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E : B TR -
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ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 2G X 8 평행한 -
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75 L : G TR -
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ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES : f -
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ECAD 1186 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT : b -
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ECAD 9454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
M29W320DB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N3F TR 1.8532
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ECAD 5523 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
M29W128GH70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GH70N3F TR -
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ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT : J TR 5.6400
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ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
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ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MTFC16GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT TR 19.2750
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC4GLVEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC4GLVEA-0M WT -
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ECAD 3938 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT47H128M16RT-3:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-3 : c -
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ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT28F128J3FS-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 et tr -
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ECAD 5131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT : a 8.7450
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ECAD 9329 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 평행한 18ns
RC28F256P30B85A Micron Technology Inc. RC28F256P30B85A -
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ECAD 5594 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E AAT : G TR -
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ECAD 8175 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8BN-6:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 : d -
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ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V16M16TG-75 IT:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 IT : f -
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ECAD 6503 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT28F800B5SG-8 T Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 T -
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ECAD 6507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT53D4D1ARQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ARQ-DC TR -
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고