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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
jr28f032m29ewba	-	RFQ	4504	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JR28F032M29	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	96		비 비	32mbit	70 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	70ns
MT25QU128ABB8E12-0AUT	6.2700	RFQ	800	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-MT25QU128ABB8E12-0AUT	3A991B1A	8542.32.0051	1,122	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F16G08ADACAH4 : C TR	-	RFQ	7644	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F16G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	평행한	-
MT41J64M16JT-107 : g	-	RFQ	9637	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J64M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	64m x 16	평행한	-
MT29F1T08CUCBBH8-6R : b	-	RFQ	9836	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
RC28F128P33B85A	-	RFQ	5268	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
MT46V32M16P-5B : J.	-	RFQ	1582	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,080	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
N25Q128A13ESFA0F	4.0000	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면			플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V		-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 5ms
MT29F4G01ABBFD12-AATES : F TR	-	RFQ	7691	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	24-TBGA	MT29F4G01	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	4gbit		플래시	4g x 1	SPI	-
MT58L64L36PT-6TR	4.2600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500	166 MHz	휘발성 휘발성	2mbit	3.5 ns	SRAM	64k x 36	평행한	-
EMBA232B2PB-DV-FD	-	RFQ	9872	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,680
MT51J256M32HF-60 : a	-	RFQ	4946	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V	170-FBGA (12x14)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,260	1.5GHz	휘발성 휘발성	8gbit		숫양	256m x 32	평행한	-
MT29F2G08ABBFAH4 : f	-	RFQ	1309	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,260		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
MT48V8M16LFB4-10 IT : g	-	RFQ	4386	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- 모바일 lpsdr	2.3V ~ 2.7V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
PC28F256P30B85F	-	RFQ	8229	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	256mbit	85 ns	플래시	16m x 16	평행한	85ns
M25P80-VMC6G	-	RFQ	1124	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	490	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT28F640J3FS-115 MET TR	-	RFQ	7885	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F640J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64mbit	115 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	-
MT53E2G64D8TN-046 WT : C TR	90.4650	RFQ	4586	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	556-LFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	556-LFBGA (12.4x12.4)	다운로드				557-MT53E2G64D8TN-046WT : CTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	128gbit	3.5 ns	음주	2G X 64	평행한	18ns
MT48H8M32LFF5-8 TR	-	RFQ	4988	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H8M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
M29W320ET70ZE6F TR	-	RFQ	9759	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	32mbit	70 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	70ns
MT48LC32M8A2BB-75 : d	-	RFQ	5802	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT48LC32M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	60-FBGA (8x16)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT53D2G32D8QD-062 WT : D TR	-	RFQ	6529	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D2G32	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
mtfc32gapalna-aat es tr	-	RFQ	4815	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MTFC32G	플래시 - NAND	-	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MT52L512M32D2PF-107 WT : B TR	24.1050	RFQ	2225	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L512	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
M29F800FB5AM6F2	5.0000	RFQ	2	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC		플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	-				3277-M29F800FB5AM6F2TR			500		비 비	8mbit	55 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	55ns
MT46V64M8P-5B : F TR	-	RFQ	4288	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT41J128MA-125G : d	-	RFQ	3398	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J128M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.75 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT48LC4M32B2P-6 : G TR	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
EDS6432AFTA-75TI-ED	-	RFQ	9194	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,080
MT48LC4M16A2P-6A IT : J TR	4.3402	RFQ	4	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	4m x 16	평행한	12ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²