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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT	-	RFQ	3721	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	130-VFBGA	MT29C1G12	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	130-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비, 휘발성	1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM)		플래시, 램	128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram)	평행한	-
M58LT128KST8ZA6F TR	-	RFQ	9711	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M58LT128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-TBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
M25P32-VMP6G	-	RFQ	1631	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25P32	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-VFQFPN (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,940	75MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT49H32M18FM-33 : b	-	RFQ	8335	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	300MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	32m x 18	평행한	-
N25Q128A13ESEC0G	-	RFQ	8290	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT48LC4M32LFF5-8 IT : G TR	-	RFQ	6785	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수가	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	4m x 32	평행한	15ns
MT40A512MM16JY-075E IT : B TR	-	RFQ	1567	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A512M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	평행한	-
MT48H16M32L2B5-8	-	RFQ	7469	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M	12.3100	RFQ	3653	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M			1
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR	3.3831	RFQ	3647	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR : b	-	RFQ	8973	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
MT48V8M16LFB4-8 XT : G TR	-	RFQ	2152	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- 모바일 lpsdr	2.3V ~ 2.7V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
M29W640GH70ZF6F TR	-	RFQ	3350	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES : E TR	-	RFQ	3194	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	376-WFBGA	MT53D1G64	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	376-WFBGA (14x14)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	1G X 64	-	-
M28W160CB90N6	-	RFQ	2333	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M28W160	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	16mbit	90 ns	플래시	1m x 16	평행한	90ns
MT46V32M8TG-5B : G TR	-	RFQ	4544	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수가	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT46V128M4BN-6 : F TR	-	RFQ	5111	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V128M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
MT51J256M32HF-80 : A TR	-	RFQ	5860	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V	170-FBGA (12x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000	2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		숫양	256m x 32	평행한	-
MT45W2MW16BABB-706 L WT	-	RFQ	3169	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W2MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (6x9)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		휘발성 휘발성	32mbit	70 ns	psram	2m x 16	평행한	70ns
MT29F4G16ABBDAHC-IT : d	-	RFQ	9194	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT40A2G4PM-083E : a	-	RFQ	3000	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A2G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x13.2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,020	1.2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	2G X 4	평행한	-
MT58L256L36PF-7.5 IT	17.3600	RFQ	30	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	4 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
EDF4432ACPE-GD-FD	-	RFQ	1010	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF4432	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT46H16M32LFB5-6 AT : C TR	-	RFQ	7626	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	16m x 32	평행한	15ns
MT55L512Y36PF-10	20.9200	RFQ	112	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA	MT55L512Y	sram-비동기식, zbt	3.135V ~ 3.465V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수가	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
EDB4432BBBJ-1DAAT-FD	-	RFQ	8621	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	134-WFBGA	EDB4432	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	134-FBGA (10x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR	17.3100	RFQ	1760	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU01	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT58L128L36P1F-5	7.7500	RFQ	416	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA	MT58L128L36	SRAM	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수가	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	200MHz	휘발성 휘발성	4mbit	2.8 ns	SRAM	128k x 36	평행한	-
MT29F32G08ABCDBJ4-6 : d	-	RFQ	6569	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT53E384M32D2DS-046 AIT : e	-	RFQ	6483	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53E384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53E384M32D2DS-046AIT : e	귀 99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²