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EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDBA164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
M39L0R8090U3ZE6E Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6E -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 133-VFBGA M39L0R8090 플래시 -1pddr sdram 1.7V ~ 1.95V 133-VFBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 비 비, 휘발성 256mbit, 512mbit 70 ns 플래시, 램 16m x 16, 32m x 16 평행한 -
MT46V128M4P-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-75 : D TR -
RFQ
ECAD 4618 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TP-062 L XT : C. -
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ECAD 4087 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,120 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR 7.0650
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ECAD 8759 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT28F004B3VG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 TET -
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ECAD 4263 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
MT48LC128M4A2P-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC128M4A2P-75 : C TR -
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ECAD 5026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC128M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT35XL256ABA2GSF-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT -
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ECAD 1659 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MT53B2DARN-DC Micron Technology Inc. MT53B2DARN-DC -
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ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,008
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 L : D. -
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ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
M29W640FT70N6E Micron Technology Inc. M29W640FT70N6E -
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ECAD 9882 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12 : a -
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ECAD 5553 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEABH6-12IT : A TR -
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ECAD 1802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT : b -
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ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT : D TR -
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MTFC128GAVATTC-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-ait 56.1900
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ECAD 7693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC128GAVATTC-ait 1
MT46V16M8P-6T:DTR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-6T : DTR -
RFQ
ECAD 4262 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 16m x 8 평행한 15ns
NAND512R3A2SN6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6F -
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ECAD 1864 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
PC28F256P33B85E Micron Technology Inc. PC28F256P33B85E -
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ECAD 4413 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT : g -
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ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT48V8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 -
RFQ
ECAD 5270 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT : b -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT : g 3.2005
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ECAD 3418 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT : g 1
MT28GU256AAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0SIT -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA MT28GU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 -
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abbdah4-itx : d -
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ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT48LC4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 : G TR -
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT46V64M8BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 : F TR -
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M16BN-6:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 : c -
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ECAD 1157 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EYHBBG9-3R : B TR -
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ECAD 3823 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
M29W128GSH70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70N6E -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고