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W9751G8KB-25 TR Winbond Electronics W9751G8KB-25 TR -
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ECAD 3862 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W9751G8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
W97AH2NBVA1E Winbond Electronics W97AH2NBVA1E 4.5380
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ECAD 9269 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA W97AH2 sdram -모바일 lpddr2 -s4b 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W97AH2NBVA1E 귀 99 8542.32.0032 168 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25X32VSFIG Winbond Electronics W25x32vsfig -
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ECAD 5495 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25x32 플래시 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 3ms
W9812G6JH-5 Winbond Electronics W9812G6JH-5 -
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ECAD 2916 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) W9812G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 4.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
W98AD6KBGX6E Winbond Electronics W98AD6KBGX6E -
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ECAD 6592 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 312
W25Q128JWBIQ Winbond Electronics W25Q128JWBIQ 1.8798
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ECAD 6086 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W25Q128FVSJP Winbond Electronics W25Q128FVSJP -
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ECAD 7253 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q64JVTBJQ TR Winbond Electronics W25Q64JVTBJQ TR -
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ECAD 9220 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q64JVTBJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W632GG6NB-11 TR Winbond Electronics W632GG6NB-11 TR 4.1400
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ECAD 5679 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W632GG6NB-11TR 귀 99 8542.32.0036 3,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 sstl_15 15ns
W25N02JWTBIF TR Winbond Electronics W25N02JWTBIF TR 5.1250
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ECAD 1529 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWTBIFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 비 비 2gbit 6 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 700µs
W25Q128JVFAQ Winbond Electronics W25Q128JVFAQ -
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ECAD 7066 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JVFAQ 1 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q32JWZPIQ TR Winbond Electronics W25Q32JWZPIQ TR 0.6776
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ECAD 4820 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32JWZPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W9425G6JB-5I TR Winbond Electronics W9425G6JB-5I TR -
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ECAD 3433 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W9425G6 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 55 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q32JVZPIM Winbond Electronics W25Q32JVZPIM 0.8900
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ECAD 48 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q32JVZPIM 귀 99 8542.32.0071 570 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25N512GVPIG TR Winbond Electronics W25N512GVPIG TR 1.6871
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ECAD 5021 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25N512 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GVPIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 166 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W98AD6KBGX6E TR Winbond Electronics W98AD6KBGX6E TR -
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ECAD 5179 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500
W632GU6NB15I Winbond Electronics W632GU6NB15I 5.2943
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ECAD 7792 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA W632GU6 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-VFBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
W25Q64CVSFJG Winbond Electronics W25Q64CVSFJG -
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ECAD 9361 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q32JWSSIG Winbond Electronics W25Q32JWSSIG -
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ECAD 2787 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W25N04KVSFIU Winbond Electronics W25N04KVSFIU -
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ECAD 3934 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVSFIU 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
W25X64VZEIG Winbond Electronics W25X64VZEIG -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25x64 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 63 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 3ms
W25Q128JVEIM TR Winbond Electronics W25Q128JVEIM TR 1.4036
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ECAD 5282 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128JVBJM Winbond Electronics W25Q128JVBJM -
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ECAD 2155 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W632GU6KB-11 Winbond Electronics W632GU6KB-11 -
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ECAD 4049 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W632GU6 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
W25Q128FWPAQ Winbond Electronics W25Q128FWPAQ -
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ECAD 2691 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128FWPAQ 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 5ms
W25Q64JVSTIM Winbond Electronics W25Q64JVSTIM -
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ECAD 9503 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-VSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
W25Q512NWEIM TR Winbond Electronics W25Q512NWEIM TR -
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ECAD 4416 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q512 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q512NWEIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 512mbit 6 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W66BP6NBUAGJ Winbond Electronics W66bp6nbuagj 5.1712
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ECAD 4579 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA W66bp6 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W66BP6NBUAGJ 귀 99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q32BVSSJP TR Winbond Electronics W25Q32BVSSJP TR -
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ECAD 5273 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32BVSSJPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25Q16CVNA01 Winbond Electronics W25Q16CVNA01 -
RFQ
ECAD 1764 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 - - - W25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q16CVNA01 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고